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微电子工艺课程设计

摘要

仿真（simulation）这一术语已不仅广泛出现在各种科技书书刊上，甚至已频繁出现于各种新闻媒体上。不同的书刊和字典对仿真这一术语的定义性简释大同小异，以下3种最有代表性，仿真是一个系统或过程的功能用另一系统或过程的功能的仿真表示；用能适用于计算机的数学模型表示实际物理过程或系统；不同实验对问题的检验。仿真（也即模拟）的可信度和精度很大程度上基于建模（modeling）的可信度和精度。建模和仿真（modelingandsimulation）是研究自然科学、工程科学、人文科学和社会科学的重要方法，是开发产品、制定决策的重要手段。据不完全统计，目前，有关建模和仿真方面的研究论文已占各类国际、国内专业学术会议总数的10%以上，占了很可观的份额。

集成电路仿真通过集成电路仿真器（simulator）执行。集成电路仿真器由计算机主机及输入、输出等外围设备（硬件）和有关仿真程序（软件）组成。按仿真内容不同，集成电路仿真一般可分为：系统功能仿真、逻辑仿真、电路仿真、器件仿真及工艺仿真等不同层次（level）的仿真。其中工艺和器件的仿真，国际上也常称作“集成电路工艺和器件的计算机辅助设计”（TechnologyCADofIC），简称“ICTCAD”。

综述

这次课程设计要求是：设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=346K时，β=173。VCEO=18V，VCBO=90V，晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=15mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。要求我们先进行相关的计算，为工艺过程中的量进行计算。然后通过Silvaco-TCAD进行模拟。

TCAD就是TechnologyComputerAidedDesign，指半导体工艺模拟以及器件模拟工具，世界上商用的TCAD工具有Silvaco公司的Athena和Atlas，Synopsys公司的TSupprem和Medici以及ISE公司（已经被Synopsys公司收购）的Dios和Dessis以及CrosslightSoftware公司的Csuprem和APSYS。这次课程设计运用Silvaco-TCAD软件进行工艺模拟。通过具体的工艺设计，最后使工艺产出的PNP双极型晶体管满足所需要的条件。

方案设计与分析

各区掺杂浓度及相关参数的计算

对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂的外延层。因此，当集电结上的偏置电压接近击穿电压V时， 集电结可用突变结近似，对于Si器件击穿电压为，

集电区杂质浓度为：

由于BVCBO=90所以Nc=5.824*1015cm-3

一般的晶体管各区的浓度要满足NENBNC

设NB=10NC;NE=100NB则：

Nc=5.824*1015cm-3；NB=5.824*1016cm-3；NE=5.824*1018cm-3

根据室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系，得到少子迁移率：

；；

根据公式可得少子的扩散系数：

=0.03×1300=39

=0.03×330=9.9

=0.03×150=4.5

根据掺杂浓度与电阻率的函数关系，可得到不同杂质浓度对应的电阻率：

氧化层厚度

氧化层厚度的最小值由预扩散（1353K）的时间t=964.84s来决定的，且服从余误差分布，并根据假设可求，由一些相关资料可查出磷（P）在温度1080℃时在中的扩散系数：

考虑到生产实际情况，基区氧化层厚度取为6000。

基区再扩散的时间

PNP基区的磷再扩散的温度这里取1200℃。

由一些相关资料可查出磷的扩散系数：

由于预扩散的结深很浅，可将它忽略，故，

由再扩散结深公式：，

而且，

故可整理为：

即

经过化简得：

解得基区再扩散的时间：t=7560s=2.1h

B、发射区相关参数的计算过程

预扩散时间

PNP发射区的硼预扩散的温度这里取950℃，即1223K。

单位面积杂质浓度：

由上述表1可知硼在硅中有：

为了方便计算，取

由公式，得出发射区的预扩散时间：

氧化层厚度

氧化层厚度的最小值由预扩散（1353K）的时间t=1683s来决定的，且服从余误差分布，并根据假设可求，由一些相关资料可查出硼（B）在温度950℃时在中的扩散系数：

考虑到生产实际情况，基区氧化层厚度取为7000。

发射区再扩散的时间