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《半导体物理》期中测试卷

考试时长：120分钟满分：100分适用对象：理工科本科大二/大三学生

一、填空题（每空1分，共20分）

纯净半导体中，电子在导带和空穴在价带的产生过程称为______，其逆过程称为______，热平衡时两者速率______。

硅晶体的晶格结构为______型，其能带结构属于______带隙半导体，导带底与价带顶不在同一波矢k处。

本征半导体的霍尔系数______0（填“大于”“小于”或“等于”）；若某半导体霍尔系数为0，则该材料为______型半导体。

电子在晶体中进行______运动时，在各元胞对应位置出现的几率相同，这是晶体周期性势场作用的结果。

施主杂质电离后形成______电中心，受主杂质电离后形成______电中心；金在硅中属于______能级杂质。

载流子迁移率的大小主要由______机构决定，以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率与温度的______次方成反比。

非简并半导体的载流子分布服从______分布，简并半导体则需用______分布描述。

室温下向本征硅中掺入磷元素后，费米能级向______（填“Ec”“Ev”或“Ei”）方向移动；若温度升高至本征区，费米能级将向______靠近。

霍尔效应实验可确定半导体的______、______和载流子浓度三个关键参数。

重掺杂会导致半导体的禁带宽度______（填“变宽”或“变窄”），这种现象称为______效应。

二、选择题（每题2分，共20分）

常温下将浓度为101?/cm3的砷掺入硅中，起主要散射作用的是（）

A.杂质散射B.光学波散射C.声学波散射D.多能谷散射

以下参数中，不能通过霍尔效应实验直接确定的是（）

A.迁移率B.载流子浓度C.有效质量D.半导体极性

关于重空穴的描述，正确的是（）

A.由质量较大的原子形成B.质量比电子大

C.价带顶附近等能面曲率较大D.价带顶附近等能面曲率较小

某材料的电阻率随温度升高而单调下降，该材料最可能是（）

A.本征半导体B.杂质半导体C.金属D.绝缘材料

对于n型半导体，温度一定时降低掺杂浓度，费米能级EF将（）

A.靠近EcB.靠近EvC.远离EiD.靠近Ei

当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主浓度与施主总浓度的比值为（）

A.1/2B.1/3C.2/3D.1/4

半导体中载流子的平均自由时间与以下哪个参数直接相关（）

A.复合寿命B.扩散系数C.迁移率D.禁带宽度

在硅中掺入硼浓度为101?/cm?3，磷浓度为101?/cm?3，该半导体为（）

A.本征半导体B.n型半导体C.p型半导体D.补偿半导体

以下关于载流子浓度积n?p?的说法，错误的是（）

A.与杂质浓度无关B.随温度升高而增大

C.随禁带宽度增大而增大D.只与材料本身和温度有关

简并半导体与非简并半导体的根本区别在于（）

A.掺杂浓度不同B.载流子类型不同

C.费米能级位置不同D.散射机制不同

三、简答题（每题6分，共18分）

简述n型半导体的载流子浓度和费米能级随温度变化的规律，并标注对应的温度区间。

试分析化合物半导体PbS中，硫（S）间隙原子会形成施主还是受主杂质？请说明理由。

论证非简并半导体在热平衡状态下，载流子浓度积n?p?与杂质浓度无关，仅与禁带宽度相关。

四、作图题（8分）

某半导体存在两个价带，带顶均位于k=0处且能量相等，其中一个价带顶的空穴有效质量m?远大于另一个价带顶的空穴有效质量m?（m?*m?*）。请定性绘制二者的E-k关系曲线，并标注重空穴和轻空穴对应的能带。

五、计算题（共34分）

（10分）室温（300K）下，在硅中掺入施主杂质磷，浓度ND=101?/cm3。已知硅的本征载流子浓度ni=1.5×101?/cm3，试回答：

（1）该半导体属于哪种极性类型？磷元素是施主还是受主杂质？（2分）

（2）多数载流子和少数载流子分别是什么？其浓度各为多少？（4分）

（3）若温度升高导致ni增大至101?/cm3，此时半导体进入什么区域？费米能级位置如何变化？（4分）

（12分）某硅样品在300K时，施主与受主浓度差ND-NA=101?/cm3，杂质全部电离。已知该温度下硅的导带底有效状态密度NC=2.9×101?/cm3，ni=1.5×101?/cm3。

（1）计算样品的多数载流子浓度和少数载流子浓度；（6