半导体物理第一章.pptVIP

电流密度＝电子总电流无外场条件下有外场条件下第29页，共48页，星期日，2025年，2月5日在外场E中，电子受到力电子状态不断变化，电子状态依次变化，价带中空状态（空位）作同样变化。此过程也产生电流。第30页，共48页，星期日，2025年，2月5日空穴导带的理解一个电子填充到空k状态，则k状态电子电流=－qυ(k)。填入这个电子后，价带又被填满，总电流应为零。即：J+(-qυ(k))=0，J＝qυ(k))当价带k状态空出时，价带电子的总电流，就如同一个带正电荷的粒子以k状态电子速度υ(k)运动时所产生的电流。价带顶附近的电子在外场中作加速运动当价带中缺少一些电子而空出一些状态后，可以认为这些状态为空穴所占据。空穴可以看成是一个具有正电荷和正有效质量粒子。对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子和价带上空穴同时参与导电．这就是本征半导体的导电机构。第31页，共48页，星期日，2025年，2月5日1*5.三维周期势场中电子运动波函数和能量状态倒易空间的概念定义原胞体积：Vc＝a1.[a2×a3]，其中ai基矢量。倒易空间：基矢量：ai.bj=2πδij正倒空间原胞体积关系倒空间原胞体积：Vc*＝b1.[b2×b3]正倒空间原胞体积关系：VcVc*＝(2π)3第32页，共48页，星期日，2025年，2月5日周期性势场中的波函数和能量状态一维原子链：波函数波函数的周期性确定，k值限定在（－π/a,π/a]区间，可得到所有的能量态。根据波函数的周期性，如原子链中有N个原子，,m为整数。相邻两个k值之间的间距2π/Na,为每一个能量态占据的k空间大小。链长Na=L，每一个k态占据的空间为a/L在第一布里渊区内可容纳N个k态，2N个电子。第33页，共48页，星期日，2025年，2月5日三维空间晶体波函数在三维基矢方向上分别有N1，N2,N3原子数，则波函数的周期性确定在基矢方向的k分量分别为：共有量子态数量：N=N1N2N3，是晶体中原胞总数一个量子态占据的k空间大小第34页，共48页，星期日，2025年，2月5日半导体物理第一章第1页，共48页，星期日，2025年，2月5日1半导体的晶体结构金刚石结构第IV族元素半导体材料硅、锗原子最外层都具有四个价电子。大量的硅、锗原予组合成晶体靠的是共价键结合，它们的晶格结构和金刚石一样都属于金刚石型结构。这种结构的特点是：每个原子周围都有四个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。金刚石型结构的结晶学原胞是立方对称的晶胞。这种晶胞是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了四分之一的空间对角线套构而成。原胞含2个原子。第2页，共48页，星期日，2025年，2月5日硅和锗的晶格常数分别为0.543089和0.565754nm，从而求得硅每立方厘米体积内有5.00×1022个原子，锗有4.42×1022个原子，两原于间最短距离硅0.235nm，锗为0.245nm，因而它们的共价半径分别为0.117和0.122nm。第3页，共48页，星期日，2025年，2月5日闪锌矿型结构由化学元素周期表中的III-V族化合物族元素由Al，Ga和In和N,P等合成的，都是半导体材料，它们绝大多数具有闪锌矿型结构。与金刚石型结构类似，所区别的由不同原子构成，两种原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。与IV族元素半导体的情况类似，这类共价性的化合物半导体中，共价键也是以sp3杂化轨道为基础的。与IV族元素半导体相比有一个重要区别，这就是在共价性化合晶体中，结合的性质具有不同程度的离子性，常称这类半导体为极性半导体。第4页，共48页，星期日，2025年，2月5日第5页，共48页，星期日，2025年，2月5日纤锌矿结构纤锌矿型结构和闪锌矿型结构相接近，它也是以正四面体结构为基础构成的，但是它具有六方对称性。它是由两类原子各组成六方排列的双原子层堆积而成，但它只有两种类型的六方原子层，它的(001)面规则地按ABAB…顺序堆积，从而构成纤锌矿型结构。氮化物和硫化物半导体材料等。第6页，共48页，星期日，2025年，2月5日2固体中电子状态和能带能