第四章第七节放大器的频率响应.pptVIP

对于图4-7-13(b)所示的一阶系统，经推导求得它的源电压增益函数为(4-7-20)式中，AvsI为中频区源电压增益，Rt为并联在Ct两端的总电阻。它们分别为(4-7-21)第61页，共96页，星期日，2025年，2月5日对于单极点系统，它的上限角频率就是系统的极点角频率，即(4-7-22)第62页，共96页，星期日，2025年，2月5日评价放大器高频性能的另一指标是增益带宽积(Gain-BandwidthProduct)，用GBW表示，定义为中频区增益与上限频率相乘积的绝对值。对于共发放大器(4-7-23)第63页，共96页，星期日，2025年，2月5日综上所述，可得出下列结论：第64页，共96页，星期日，2025年，2月5日第65页，共96页，星期日，2025年，2月5日总之，要扩展共发放大器的上限频率，应使其输入和输出节点为低阻节点(即减少Rs和R’L)，但最终受到管子fT的限制。上述结论同样适用于场效应管共源放大器。这里不再重复。第66页，共96页，星期日，2025年，2月5日4.7.3共集和共基放大器的频率响应一、共集放大器图4-7—14(a)为共集放大器在高频工作时的交流等效电路，图中，R’L=RL//RE//rce。第67页，共96页，星期日，2025年，2月5日由图可见，它有两个电容，对应有两个极点。当s?∞时，1／(sCb’c)?0，相应的Vo(s)?0，表明有一个s?∞的零点，因此，它是含有一个零点、两个极点的二阶系统。通常Cb’c很小，其容抗远大于(Rs+rbb’),因而Cbc可忽略，等效电路便简化为图4-7-14(b)所示的一阶系统。第68页，共96页，星期日，2025年，2月5日顺便指出，如果在图4-7-7的三级放大器中。各级RC电路改用图4-7-5所示的高通电路，类似于电容耦合放大器，且R1C1R2C2R3C3，则采用同样方法求得下限角频率的近似表达式为(4-7-4)当wP1大于wP2四倍以上，则wP1为主极点角频率。wP2和wP3为非主极点角频率。下限角频率近似等于主极点角频率，即第29页，共96页，星期日，2025年，2月5日在集成电路中，—般都采用直接耦合的多级放大器。它的下限频率趋于零，因而下面讨论放大器的频率响应时，仅限于高频段及其上限频率的分析。第30页，共96页，星期日，2025年，2月5日4.7.2共发放大器的频率特性在讨论共发放大器的频率特性时，有必要先介绍晶体三极管的频率参数，这些参数是评价晶体三极管高频性能的特征参数。第31页，共96页，星期日，2025年，2月5日一、晶体三极管的频率参数将混合Ⅱ型等效电路的输出端短接，如图4-7-9所示。第32页，共96页，星期日，2025年，2月5日由图求得其中第33页，共96页，星期日，2025年，2月5日因而得为一零一极系统。(4-7-5)第34页，共96页，星期日，2025年，2月5日式中(4-7-6)为零点和极点角频率。(4-7-7)第35页，共96页，星期日，2025年，2月5日相应的幅值和相角分别为(4-7-8)第36页，共96页，星期日，2025年，2月5日第37页，共96页，星期日，2025年，2月5日(4-7-9)(4-7-10)第38页，共96页，星期日，2025年，2月5日(4-7-11)第39页，共96页，星期日，2025年，2月5日(4-7-12)式中(4-7-13)第40页，共96页，星期日，2025年，2月5日第41页，共96页，星期日，2025年，2月5日三个频率参数都是晶体三极管的固有参数，它们在评价晶体三极管高频性能上是等价的。其中应用最广且最具代表性的是特征频率fT。fT越高，表明晶体三极管的高频性能越好，用它构成的放大器，其上限频率也就越高。fT与晶体三极管的制造工艺有关，采用先进的工艺，目前fT已可高达几个GHz。fT不仅是晶体三极管的频率参数，而且也是评价场效应管高频性能的频率参数。第42页，共96页，星期日，2025年，2月5日(4-7-14)式中，Cgs和Cgd分别为栅源和栅漏极间电容。最后必须指出，混合Ⅱ型等效电路是描述晶体三极管高频性能的一种简化等效电路，它适用的工作频率仅限于ffT/3。当工作在更高频率时，需要用更精确也更复杂的等效电路。第43页，共96页，星期日，2025年，2月5日二、密勒定理及其单向化近似利用密勒定理及其单向化近似，可大大简化共发放大电路频率特性的分析。因此，下面先介绍密勒定理及其应用在混合Ⅱ型等效电路中所作的单向化近似。第