第1章 半导体二极管.pptVIP

单相整流电路一、半波整流?tO?2?3?u2?tO?2?3?uO?tO?2?3?iD=iO?tO?2?3?uDＶRL~220V+uｏ–u2iD+uD–第46页，共76页，星期日，2025年，2月5日整流二极管的选择平均电流ID与最高反向电压UDRM是选择整流二极管的主要依据。选管时应满足：IOM?ID，URWM?UDRM第47页，共76页，星期日，2025年，2月5日例1.3.5ui=2sin?t(V)，分析二极管的限幅作用。ui较小，宜采用恒压降模型V1V2uiuORui0.7VV1、V2均截止uO=uiuO=0.7Vui?0.7VV2导通V１截止ui?0.7VV1导通V2截止uO=?0.7V思考题:V1、V2支路各串联恒压源，输出波形如何？(可切至EWB)OtuO/V0.7Otui/V2?0.7第1章半导体二极管第48页，共76页，星期日，2025年，2月5日小结理想二极管：正偏导通，电压降为零，相当于开关合上；反偏截止，电流为零，相当于开关断开。恒压降模型：正偏电压?UD(on)时导通，等效为恒压源UD(on)；否则截止，相当于二极管支路断开。第1章半导体二极管第49页，共76页，星期日，2025年，2月5日1.4特殊二极管1.4.1稳压二极管1.4.2光电二极管第1章半导体二极管第50页，共76页，星期日，2025年，2月5日几种二极管第51页，共76页，星期日，2025年，2月5日1.4稳压管及稳压管稳压电路

1.4.1稳压管1.符号UZIZIZM?UZ?IZ2.伏安特性稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。_+UIO第52页，共76页，星期日，2025年，2月5日3.主要参数(1)稳定电压UZ稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。(2)电压温度系数?ｕ环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。(3)动态电阻(4)稳定电流IZ、最大稳定电流IZM(5)最大允许耗散功率PZM=UZIZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。第53页，共76页，星期日，2025年，2月5日稳压电路：稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。第1章半导体二极管第54页，共76页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管第1章1.1半导体的基础知识1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.1.3PN结(SemiconductorDiode)第14页，共76页，星期日，2025年，2月5日半导体的基本知识在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体(导电能力介于导体和绝缘体之间的物质)。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。第15页，共76页，星期日，2025年，2月5日半导体的导电特性(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强第16页，共76页，星期日，2025年，2月5日1.1.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。SiSiSiSi价电子第17页，共76页，星期日，2025年，2月5日SiSiSiSi价电子价电子在获得一