场效应器件物理原理.pptVIP

场效应器件物理原理

第1页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性本节内容

n理想MOS电容的CV特性

n氧化层电荷对CV特性影响

n界面态概念及对CV特性影响

2025-11-30

第2页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性什么是C-V特性

dQ

器件电容定义:C

dV

MOS电容C`=dQ/dV=Cox与Cs`的串联

相当于金属电容与半导体电容串联

电阻越串越大，电容越串越小

2025-11-30

第3页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性理想MOS电容C-V特性

电容-电压特性测试曲线

测量电源：MOS外加栅压，在直流电压上叠加一交流小信号电压。

直流电压：决定器件工作点，调整大小使MOS先后处于堆积、平带、耗尽

、本征、反型几种状态

交流电压：幅值比较小，不改变半导体的状态

2025-11-30

第4页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性堆积状态

加直流负栅压，堆积层电荷能够跟随交流小信号栅压的变化

。

直观：相当于栅介质平板电容

公式：面电荷密度随表面势指数增加。



C(acc)Cox

2025-11-30ox

tox

第5页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性平带状态

所加负栅压正好等于平带电压VFB，使半导体表面能带无弯曲

ox

CFB

oxkTs

tox

toxeeNa

2025-11-30

第6页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性耗尽状态

C’相当与Cox与Csd’串联

加小的正栅压，表面耗尽层电荷随交流小信号栅压的变化

而变化，出现耗尽层电容CSD`

2025-11-30

VGxdC(dep)

第7页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性强反型状态

阈值反型点：CV曲线分高低频。

原因：和反型层电荷的来源密切相关。

2025-11-30

第8页，共67页，星期日，2025年，2月5日

1.2C-V特性反型层电荷来源

半导体始终存在热运动过程，不断有电子空穴对的产生复合。

热运动：电子从价带激发到导带，电子热运动挣脱共价键束缚的过程

反型层电荷来源：（热运动产生的少子）

1、P衬少子电子通过耗尽层到反型层（扩散+漂移）

2、耗尽层中热运动产生电子空穴对，电子漂移到反型层。

交流信号正向变化对应电子产生过程，负向变化对应电子复合过程;

少子的产生复合过程需要时间。

反型202层5-11-电30荷是否跟得上信号变化与信