第1节晶体二极管.pptVIP

2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示(a)二极管理论伏安特性CDoBAUBRuDiD（b）2CP10-20的伏安特性曲线iD（mA）uD（V）012-100-20020406080-20-10-30（uA）75℃20℃（c）2AP15的伏安特性曲线iD（mA）uD（V）00.4-40-80204080-0.2-0.1-0.3600.8IS：反向饱和电流UT：温度的电压当量在常温(300K)下，UT?26mV第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日①正向特性死区电压：硅管0.5V锗管0.1V线性区：硅管0.6V～1V锗管0.2V～0.5V对温度变化敏感：温度升高→正向特性曲线左移温度每升高1℃→正向压降减小约2mV。(a)二极管理论伏安特性正向特性CDoBAUBRuDiD第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日②反向特性反向电流：很小。硅管0.1微安锗管几十个微安受温度影响大：温度每升高10℃→反向电流增加约1倍。③反向击穿特性反向击穿UBR:几十伏以上。(a)二极管理论伏安特性反向击穿特性CDoBAUBRuDiD反向特性第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日3.二极管的主要参数最大整流电流IF最大反向工作电压UR反向电流IR最高工作频率fM第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日⑴理想二极管等效电路uDiD0DK理想二极管等效电路可以忽略二极管的正向压降和反向电流，把二极管理想化为一个开关，如图所示。4.二极管的等效电路及应用第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日⑵考虑正向压降的等效电路近似认为二极管正向导通时有一个固定的管压降UD（硅管取0.7V，锗管取0.2V），于是可用一固定电压源来等效正向导通的二极管。当外加电压UUD时，二极管不通，电流为零，相当于开路。第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日uDiD0DUD考虑正向压降的等效电路KUD图中画出了这种近似等效电路。第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日图(a)是一个二极管组成的限幅电路(ClippingCircuit)。这种电路常用于有选择地传输信号波形的一部分，所传输的波形部分处在电路设定的参考电压以上或以下。DURRuou++––（a）u第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日第一节晶体二极管一、半导体的导电性二、PN结及其单向导电性三、晶体二极管及其特性*四、特殊二极管*第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日一、半导体的导电性1.半导体(semiconductor)⑴半导体的物理特性物质根据其导电性能分为导体绝缘体半导体第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体的导电能力具有独特的性质。①温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著增加；②在纯净半导体材料中加入微量的“杂质”元素，它的电导率就会成千上万倍地增长；③纯净的半导体受到光照时，导电能力明显提高。第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日简化原子结构模型如图的简化形式。+4惯性核价电子硅和锗的简化原子模型⑵半导体的晶体结构第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日单晶半导体结构特点共价键:由相邻两个原子各拿出一个价电子组成价电子对所构成的联系。晶体共价键结构平面示意图+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日2.半导体的导电原理⑴本征半导体（IntrinsicSemiconductor）纯净的、结构完整的单晶半导体，称为本征半导体。物质导电能力的大小取决于其中能参与导电的粒子—载流子的多少。第7页，共52页，