第四章场效应管放大电路.pptVIP

图4-15根据场效应管的特性曲线求gm第29页，共56页，星期日，2025年，2月5日2.极间电容场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小,则管子的高频性能愈好。一般为几个pF。第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日4.3.3极限参数1.漏极最大允许耗散功率PDmPDm与ID、UDS有如下关系:这部分功率将转化为热能,使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。2.漏、源间击穿电压BUDS在场效应管输出特性曲线上,当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日3.栅源间击穿电压BUGS结型场效应管正常工作时,栅、源之间的PN结处于反向偏置状态,若UGS过高,PN结将被击穿。对于MOS场效应管,由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层,当UGS过高时,可能将SiO2绝缘层击穿,使栅极与衬底发生短路。这种击穿不同于PN结击穿,而和电容器击穿的情况类似,属于破坏性击穿,即栅、源间发生击穿,MOS管立即被损坏。第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日4.4场效应管的特点(1)场效应管是一种电压控制器件,即通过UGS来控制ID。(2)场效应管输入端几乎没有电流,所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。(3)由于场效应管是利用多数载流子导电的,因此,与双极性三极管相比,具有噪声小、受幅射的影响小、热稳定性较好而且存在零温度系数工作点等特性。第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日(4)由于场效应管的结构对称,有时漏极和源极可以互换使用,而各项指标基本上不受影响,因此应用时比较方便、灵活。(5)场效应管的制造工艺简单,有利于大规模集成。(6)由于MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω,因此,由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏,而栅极上的SiO2绝缘层又很薄,这将在栅极上产生很高的电场强度,以致引起绝缘层击穿而损坏管子。(7)场效应管的跨导较小,当组成放大电路时,在相同的负载电阻下,电压放大倍数比双极型三极管低。第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日图4–16场效应管的零温度系数工作点第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日图4-17栅极过压保护电路第36页，共56页，星期日，2025年，2月5日4.5.1共源极放大电路图4-18共源极放大电路原理电路UDD+uO?iDVT~+?uIUGGRGSDGRD与双极型三极管对应关系b?G,e?S,c?D为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足：图示电路为N沟道增强型MOS场效应管组成的放大电路。(UT：开启电压)4.5场效应管放大电路第37页，共56页，星期日，2025年，2月5日一、静态分析UDD+uO?iDVT~+?uIUGGRGSDGRD图4-18共源极放大电路原理电路两种方法近似估算法图解法(一)近似估算法MOS管栅极电流为零，当uI=0时UGSQ=UGG而iD与uGS之间近似满足(当uGSUT)式中IDO为uGS=2UT时的值。则静态漏极电流为第38页，共56页，星期日，2025年，2月5日(二)图解法图4-19用图解法分析共源极放大电路的Q点UDDIDQUDSQQ利用式uDS=UDD-iDRD画出直流负载线。图中IDQ、UDSQ即为静态值。第39页，共56页，星期日，2025年，2月5日【例1】电路如图所示,场效应管为3DJG,其输出特性曲线如图4-20所示。已知RD=2kΩ,RS=1.2kΩ,UDD=15V,试用图解法确定该放大器的静态工作点。第40页，共56页，星期日，2025年，2月5日第四章场效应管放大电路第1页，共56页，星期日，2025年，2月5日场效应管只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三