第五章 半导体器件与二极管电路.pptVIP

半导体器件基础与二极管电路第1页，共38页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体器件基础与二极管电路5.1半导体二极管的工作原理与特性5.2二极管整流电路5.3二极管峰值采样电路5.4二极管检波电路第2页，共38页，星期日，2025年，2月5日5.1半导体二极管的工作原理与特性导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。5.1.1PN结及其单向导电性第3页，共38页，星期日，2025年，2月5日一、半导体的导电特性典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。（可做成温度敏感元件，如热敏电阻）光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。（可做成各种光电元件，如光电电阻、光电二极管、光电晶体管）掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。（可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、晶体管和晶闸管等）第4页，共38页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4+4+4+4+4+4完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。价电子共价键二、本征半导体的晶体结构当温度T=0K时，半导体不导电，如同绝缘体。第5页，共38页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴若T?，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。T?自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。空穴可看成带正电的载流子。三、本征半导体中的两种载流子第6页，共38页，星期日，2025年，2月5日杂质半导体有两种N型半导体P型半导体1、N型半导体(Negative)在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。常用的5价杂质元素有磷、锑、砷等。四、杂质半导体第7页，共38页，星期日，2025年，2月5日本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。见下页自由电子浓度远大于空穴的浓度，即np。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。5价杂质原子称为施主原子。第8页，共38页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5自由电子施主原子第9页，共38页，星期日，2025年，2月5日2、P型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成P型半导体。+3空穴浓度多于电子浓度，即pn。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。3价杂质原子称为受主原子。受主原子空穴第10页，共38页，星期日，2025年，2月5日在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结。PNPN结五、PN结的形成及其单向导电性第11页，共38页，星期日，2025年，2月5日1、PN结中载流子的运动耗尽层空间电荷区PN①.扩散运动②.扩散运动形成空间电荷区电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。——PN结，耗尽层。PN第12页，共38页，星期日，2025年，2月5日③.空间电荷区产生内电场PN空间电荷区内电场Uho空间电荷区正负离子之间电位差Uho——电位壁垒；——内电场；内电场阻止多子的扩散——阻挡层。④.漂移运动内电场有利于少子运动—漂移。少子的运动与多子运动方向相反阻挡层第13页，共38页，星期日，2025