2025年《模拟电子线路A》(南京邮电大学)中国大学MOOC(慕课)章节测验试题及答案.docxVIP

2025年《模拟电子线路A》(南京邮电大学)中国大学MOOC(慕课)章节测验试题及答案

一、半导体二极管及其应用

1.选择题（每题3分）

（1）N型半导体中多数载流子是（）

A.空穴B.自由电子C.正离子D.负离子

答案：B

（2）PN结外加正向电压时，空间电荷区（）

A.变宽B.变窄C.不变D.先宽后窄

答案：B

（3）某硅二极管在室温（300K）下的反向饱和电流为1nA，当温度升高至50℃时，反向饱和电流约为（）（提示：温度每升高10℃，反向电流约加倍）

A.2nAB.4nAC.8nAD.16nA

答案：B（50℃-300K≈27℃，温度升高23℃，约2个10℃周期，1nA×22=4nA）

2.填空题（每空2分）

（1）二极管的伏安特性曲线中，正向导通时硅管的压降约为______V，锗管约为______V。

答案：0.7；0.3

（2）PN结的单向导电性表现为：正向偏置时______，反向偏置时______。

答案：导通；截止

3.判断题（每题2分）

（1）二极管的反向击穿电压一定是不可逆的。（）

答案：×（齐纳击穿可逆，雪崩击穿可能不可逆）

（2）在整流电路中，滤波电容的容量越大，输出电压的纹波越小。（）

答案：√

4.分析计算题（15分）

电路如图1所示（假设二极管为理想二极管），已知u_i=10sinωtV，R=1kΩ，试画出输出电压u_o的波形，并计算输出电压的平均值。

答案：当u_i0时，二极管导通，u_o=u_i；当u_i≤0时，二极管截止，u_o=0。波形为半波整流波形。平均值U_o(AV)=0.45U_i(有效值)=0.45×(10/√2)≈3.18V。

二、双极型三极管及基本放大电路

1.选择题（每题3分）

（1）BJT处于放大状态时，发射结和集电结的偏置情况为（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B

（2）某放大电路中，测得三极管三个电极的电位分别为6V、2.7V、2V，则该管的类型及各电极对应关系为（）（设为硅管）

A.NPN型，6V为C，2.7V为B，2V为EB.PNP型，6V为C，2.7V为B，2V为E

C.NPN型，6V为E，2.7V为B，2V为CD.PNP型，6V为E，2.7V为B，2V为C

答案：A（硅管BE结压降约0.7V，2.7V-2V=0.7V，故2.7V为B，2V为E，6V为C，NPN型）

2.填空题（每空2分）

（1）共射放大电路的输出电压与输入电压相位______，共集放大电路的输入电阻______（填“大”或“小”）。

答案：相反；大

（2）放大电路的静态工作点设置过低会产生______失真，设置过高会产生______失真。

答案：截止；饱和

3.判断题（每题2分）

（1）三极管的β值越大，放大能力越强，因此电路中应尽量选择β大的管子。（）

答案：×（β过大易受温度影响，工作点不稳定）

（2）共基放大电路的输出电阻比共射放大电路大。（）

答案：√

4.分析计算题（20分）

电路如图2所示，已知VCC=12V，Rb=300kΩ，Rc=3kΩ，β=50，UBE=0.7V，rbb=200Ω，C1、C2容量足够大。

（1）计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；

（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

答案：（1）IBQ=(VCC-UBE)/Rb=(12-0.7)/300≈0.0377mA=37.7μA；ICQ=βIBQ=50×0.0377≈1.885mA；UCEQ=VCC-ICQRc=12-1.885×3≈6.345V。

（2）微变等效电路中，rbe=rbb+(1+β)26mV/IEQ≈200+(51×26)/1.885≈200+700≈900Ω；Au=-βRc/rbe=-50×3/0.9≈-166.7；Ri≈Rb∥rbe≈300kΩ∥0.9kΩ≈0.9kΩ；Ro≈Rc=3kΩ。

三、场效应管放大电路

1.选择题（每题3分）

（1）增强型MOS管的开启电压是指（）

A.栅源电压使漏极电流开始出现时的电压B.栅源电压使导电沟道完全消失时的电压

C.漏源电压使漏极电流饱和时的电压D.栅源电压使导电沟道刚好形成时的电压

答案：D

（2）与BJT相比，场效应管的主要优点是（）

A.放大能力强B.输入电阻高C.温度稳定性差