硅片直接键合.PPTVIP

**/112硅片直接键合技术**/112硅片直接键合技术硅片直接键合SDB技术也是制备SOI材料的常用方法之一。SDB技术是将二片镜片抛光硅片经过适当表面清洗与处理，可以在室温下直接键合，再经加热增加其键合强度而成为一个整体。当两个表面十分平整的硅片放在一起，非常靠近时由于受硅片之间的范德瓦尔斯力的作用，两个硅片就粘接在一起；然后通过加热退火，增加硅片之间的键合强度。SDB技术可实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合，因而具有很强的灵活性。**/112硅片直接键合技术优缺点：硅膜质量高；氧化层厚度和硅膜厚度可以随意调整；适合于大功率器件以及MEMS技术；硅膜减薄一直是制约该技术发展的重要障碍；一般采用机械研磨、化学抛光和等离子辅助化学腐蚀等方法，硅膜厚度的均匀性较难控制。键合要用两片体硅片制成一片SOI片，成本较高。**/112智能剥离（Smart-cut）技术针对SOI材料减薄难点以及硅片直接键合技术效率偏低问题（需要消耗两块硅片才能得到一块SOI材料片），1995年Bruel就提出采用Smart-cut技术来解决这个难点。它是在硅片直接键合技术上增加薄层转移技术。