PLD法制备SnS、ZnS薄膜及其器件的性能研究与应用探索.docx

PLD法制备SnS、ZnS薄膜及其器件的性能研究与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球能源需求不断增长和环境问题日益严峻的背景下，开发高效、可持续的能源转换与利用技术已成为当务之急。半导体材料作为现代电子学和能源领域的关键材料，其性能和应用研究对于推动能源技术进步和实现可持续发展具有重要意义。在众多半导体材料中，SnS和ZnS薄膜以其独特的物理化学性质，在光伏、光电器件等领域展现出了巨大的应用潜力。

SnS是一种正交晶系的Ⅳ-Ⅵ族半导体化合物，其直接禁带宽度约为1.3eV，接近太阳能电池的最佳禁带宽度1.5eV，理论能量转换效率可达25%。此外，SnS还具