阳极氧化下一步试验方案.pptxVIP

利用真空测试台进行测试，研究背沟道吸附的H2O和O2对器件IV特性造成的影响。

源漏短接情况下不同电压对膜厚的影响。

进行SEM测试分析。

尚未完成的实验

下一步实验方案

样片

有源层

加电方式

氧化电压

氧化时间

备注

P19

ITO

有源层栅极短接

30V

恒压30min

栅极不图形化

P20

ITO

有源层栅极分开

30V

恒压10min

P21

ITO

有源层栅极分开

30V

恒压30min

P22

ITO

有源层栅极分开

30V

恒压1h

恒压时间对ITO膜厚的影响，以及源漏连接方式对器件特性的影响

样片

有源层

加电方式

氧化电压

氧化时间

备注

P23

ITO

有源层栅极分开

10V(在恒流情况下，取一个电压值)

恒压30min

栅极不图形化

P24

ITO

有源层栅极分开

10V（刚进入恒压的点）

恒压30min

P25

ITO

有源层栅极分开

30V

恒压30min

P26

ITO

有源层栅极分开

75V

恒压30min

有源层与源漏分开时，不同电压对ITO膜厚的影响

样片

是否加源漏电极

IGZO厚度

加电方式

氧化电压

氧化时间

备注

R5

Ti

40nm

有源层栅极短接

50V

40min

栅极图形化

R6

Ti

40nm

有源层栅极分开

50V

40min

R7

Ti

100nm

有源层栅极分开

50V

40min

R8

无

100nm

有源层栅极分开

50V

40min

有无Ti电极对IGZOTFT性能的影响

样片

IGZO厚度

加电方式

氧化电压

氧化时间

备注

R9

40nm

有源层栅极分开

10V

40min

栅极图形化

R10

40nm

有源层栅极分开

50V

40min

R11

40nm

有源层栅极分开

100V

40min

R12

40nm

有源层栅极分开

150V

40min

不同电压对IGZOTFT性能的影响

样片

有源层厚度

加电方式

氧化电压

氧化时间

备注

R13

40nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

20min

栅极图形化

R14

40nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

40min

R15

40nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

60min

R16

40nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

90min

不同的氧化时间对IGZOTFT性能的影响

样片

有源层厚度

加电方式

氧化电压

氧化时间

备注

R17

20nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

？40min

栅极图形化

R18

40nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

？40min

R19

60nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

？40min

R20

100nmIGZO

有源层栅极分开

？50V

？40min

不同厚度对IGZOTFT性能的影响