第4章半导体器件.pptVIP

第1页，共19页，星期日，2025年，2月5日4.1.1半导体的物理特性半导体有特殊的导电性：1）掺杂性；2）热敏性；3）光敏性半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的这一类材料，如：硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。其中硅材料用得最广，它是当前制作集成器件的主要材料。4.1半导体二极管第2页，共19页，星期日，2025年，2月5日纯净的半导体称：本征半导体。在本征半导体中，掺入一定量的杂质元素，就形成杂质半导体。P型半导体——在本征半导体中，掺入三价杂质如（硼、镓等），称为P型（空穴型）半导体。N型半导体——在本征半导体中，掺入五价杂质（磷、砷等），称为N型（电子型）半导体。PN结——对一块本征半导体，通过不同的掺杂工艺，使其一半形成P型半导体，一半形成N型半导体。不同杂质半导体之间将会形成PN结。第3页，共19页，星期日，2025年，2月5日4.1.2二极管的结构和分类点接触型：结面积小，允许通过电流小，工作速度高。面接触型：结面积大，允许通过电流大，工作频率低根据材料不同分为硅管和锗管第4页，共19页，星期日，2025年，2月5日2、反向特性1、正向特性死区电压硅管约0.5V锗管约0.1V正向导通压降硅管约0.6V~0.8V锗管约0.1V~0.3V反向电流硅管?0.1??锗管约几十??4.1.3二极管的伏安特性i(mA)u(V)i=Is(eu/UT-1)第5页，共19页，星期日，2025年，2月5日一、最大整流电流IF二、最大反向工作电压UR三、反向电流IR四、最高工作频率fM1）理想二极管模型特点：正偏导通电压为零，反偏截止电流为零。4.1.5二极管的电路模型及应用4.1.4二极管的主要参数2）二极管的恒压源模型特点：正向电压大于Uon导通,导通压降为Uon；电压小于Uon截止,电流为零。1.二极管的电路模型第6页，共19页，星期日，2025年，2月5日2.二极管的应用1）二极管整流电路第7页，共19页，星期日，2025年，2月5日2）二极管限幅电路ui＝5sinωt(V)第8页，共19页，星期日，2025年，2月5日4.1.6稳压二极管1、稳定电压Uz2、稳定电流Iz(Izmin)3、动态电阻rz4、最大稳定电流Izm及额定功耗Pzm5、温度系数?UziuIzIzmIU+-一、稳压管伏安特性二、稳压管主要参数第9页，共19页，星期日，2025年，2月5日外加合适电压：4.2.1晶体管的结构及类型制造工艺特点：1、基区很薄且低掺杂。2、发射区高掺杂。3、集电区面积较大。发射结正偏（UBUE)集电结反偏(UCUB)。4.2双极型晶体管第10页，共19页，星期日，2025年，2月5日?—共射电流放大系数关于PNP晶体管发射结正偏（UBUE)；集电结反偏(UCUB)。IC=?IBIE=IC+IBIEICIB+UBE-+UCE-UCUBUE第11页，共19页，星期日，2025年，2月5日4.2.2晶体管共射特性曲线一、输入特性iB=f(uBE)|uCE=常数uCE≥1V情况iBuBEuCE≥1VIEICIB+UBE-+UCE-第12页，共19页，星期日，2025年，2月5日uCE(V)iC(mA)iB=80?A60?A40?A20?A024684321iB0且uCE≤uBE区域。发射结正偏；集电结正偏。1、截止区一般指iB≤0区域。发射结反偏；集电结反偏。2、放大区iB0且uCEuBE区域。发射结正偏；集电结反偏。3、饱和区二、输出特性iC=f(uCE)|iB=常数第13页，共19页，星期日，2025年，2月5日一、电流放大系数?；二、极间反向电流：1、反向饱和电流ICBO；2、穿透电流ICEO三、极限参数：1、集电极最大允许功耗PCM2、集电极最大电流ICM3、反向击穿电压U(BR)1）U(BR)CEO2）U(BR)CBO3）U(BR)EBO4.2.3晶体管的主要参数第14页，共19页，星期日，2025年，2月5日