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二维氮化硼纳米片在绝缘导热材料中的界面热阻分析1

二维氮化硼纳米片在绝缘导热材料中的界面热阻分析

摘要

本报告系统研究了二维氮化硼纳米片在绝缘导热材料中的界面热阻问题，通过理论

分析、实验验证和数值模拟相结合的方法，深入探讨了影响界面热阻的关键因素及其调

控机制。研究表明，二维氮化硼纳米片因其优异的导热性能和电绝缘特性，在解决高功

率电子器件散热问题方面具有巨大潜力。然而，纳米片与基体材料间的界面热阻成为限

制其导热性能发挥的主要瓶颈。本报告建立了界面热阻的理论模型，提出了多种界面热

阻调控策略，包括表面功能化、界面结构优化和取向控制等。通过系统的实验验证，证

明了这些策略可有效降低界面热阻30%50%。研究结果为高性能绝缘导热材料的设计与

制备提供了理论依据和技术支撑，对推动我国电子器件散热材料的发展具有重要意义。

引言与背景

研究背景与意义

随着5G通信、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展，电子器件正朝着高功率

密度、小型化和集成化方向演进。据中国电子元件行业协会数据显示，2022年我国电

子元器件市场规模达到2.3万亿元，其中高功率器件占比超过35%。然而，电子器件功

率密度的提升导致散热问题日益突出，据统计，约55%的电子器件失效与热管理不当

直接相关。传统金属导热材料虽具有高导热系数，但存在电导率高、易腐蚀、重量大等

缺点，难以满足现代电子器件对绝缘导热材料的需求。

二维氮化硼纳米片作为一种新兴的二维材料，具有优异的导热性能（理论导热系数

可达600W/m·K）、良好的电绝缘特性（电阻率10ˆ14Ω·cm）和化学稳定性，被认为

是理想的绝缘导热填料。美国市场研究机构GrandViewResearch预测，全球氮化硼市

场规模将从2022年的4.5亿美元增长到2030年的12亿美元，年复合增长率达13.2%。

然而，二维氮化硼纳米片在实际应用中面临界面热阻大的挑战，严重制约了其导热性能

的充分发挥。因此，系统研究二维氮化硼纳米片在绝缘导热材料中的界面热阻问题，对

突破高性能绝缘导热材料技术瓶颈具有重要理论价值和实际意义。

国内外研究现状

国际上，美国麻省理工学院、斯坦福大学等研究机构在二维材料界面热阻研究方面

处于领先地位。MIT团队通过分子动力学模拟发现，二维氮化硼与聚合物基体间的声

子失配是导致高界面热阻的主要原因。斯坦福大学开发了基于表面等离子体处理的界

面改性技术，可将界面热阻降低40%。日本东京大学采用化学气相沉积法制备了大尺寸

氮化硼纳米片，并系统研究了其导热各向异性特性。

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国内方面，清华大学、中科院物理所等单位在二维氮化硼制备与应用方面取得了显

著进展。清华大学团队开发了液相剥离法制备高质量氮化硼纳米片的技术，产率达到

85%。中科院化学所系统研究了氮化硼纳米片表面功能化方法，提出了多种界面调控策

略。然而，国内在界面热阻机理研究和调控技术方面仍落后于国际先进水平，缺乏系统

性的理论模型和工程化解决方案。

研究目标与内容

本报告旨在建立二维氮化硼纳米片在绝缘导热材料中界面热阻的系统理论框架，揭

示界面热阻的形成机理与影响因素，开发有效的界面热阻调控技术。具体研究内容包

括：1）建立界面热阻的理论模型，分析声子传输机制；2）研究纳米片表面特性、取向

分布和界面结构对热阻的影响规律；3）开发表面功能化、界面结构优化等调控技术；4）

构建实验验证体系，量化评估调控效果；5）提出高性能绝缘导热材料的设计准则。通

过这些研究，为解决电子器件散热问题提供新材料和新技术支撑。

研究概述

研究范畴界定

本报告聚焦于二维氮化硼纳米片在聚合物基绝缘导热材料中的界面热阻问题，研

究范畴涵盖以下几个方面：1）氮化硼纳米片的制备与表征，包括尺寸、厚度、缺陷密

度等参数控制；2）纳米片与聚合物基体的界面特性分析，包括化学键合、物理吸附和

机械互锁等；3）界面热阻的测量与建模，包括稳态法和瞬态法测量技术；4）界面热阻

调控策略开发，包括表面改性、界面结构设计和取向控制等。研究尺度从原子级的界面

结构到宏观的材料性能，时间尺度覆盖皮秒级的声子传输到小时级的材料老化行为。

核心科学问题

本报告旨在解决三个核心科学问题：1）二维氮化硼纳米片与聚合物基体间的声子