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扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动n型p型耗尽层耗尽层U反向偏压使耗尽区加宽第94页，共125页，星期日，2025年，2月5日扩散漂移正向偏压使耗尽区变窄Un型p型耗尽层耗尽层第95页，共125页，星期日，2025年，2月5日pn结二极管的整流效应PN结的特征：正向导通，反向截止。应用于逻辑运算电路之中。第96页，共125页，星期日，2025年，2月5日与PN结直接相关的半导体器件太阳能电池二极管发光二极管光探测器第97页，共125页，星期日，2025年，2月5日小结kc基本概念本征半导体掺杂半导体pn结第98页，共125页，星期日，2025年，2月5日电介质的定义与基本特征在电场作用下，能产生极化与电偶极矩，并存在有内电场的物质。物质电介质半导体导体是一类特殊的绝缘体。电介质导体高电场作用第99页，共125页，星期日，2025年，2月5日介电常数：是指以电极化的方式传递、存贮或记录电的作用。电导：是指电介质在电场作用下存在泄露电流。介电损耗：是电介质在电场作用下存在电能的损耗。介电强度：是指在强电场下可能导致电介质的破坏。电介质的四大基本常数好的电介质要求较容易极化，具有较高的介电常数和介电强度，较低的电导和介电损耗。第100页，共125页，星期日，2025年，2月5日电阻分析的应用通过测量金属材料电阻率变化来研究金属组织结构等变化的方法，称为电阻法。应用：研究合金的时效测定固溶体的溶解度第62页，共125页，星期日，2025年，2月5日合金时效的基本过程是固溶体内溶质原子的偏聚，形成过渡相和析出稳定相。脱溶过程，电阻显著变化，所以电阻分析是研究合金时效最有效的方法之一。研究合金的时效第63页，共125页，星期日，2025年，2月5日测定固溶体的溶解度选定一系列不同成分的合金，分别在不同温度下淬火，并测量其电阻值，给出不同淬火温度下的电阻率与合金成分的关系。第64页，共125页，星期日，2025年，2月5日不同温度下电阻率随浓度变化及与状态图的对应关系第65页，共125页，星期日，2025年，2月5日半导体的导电性半导体材料及其能带导电机制PN结第66页，共125页，星期日，2025年，2月5日半导体材料及其能带导带和价带重叠绝缘体的禁带一般大于5eV半导体的禁带一般小于3eV第67页，共125页，星期日，2025年，2月5日半导体材料的导电性定义：分类：电阻率为（10-3~109Ωcm）或禁带宽度（0.2~3eV）的一类材料。晶体半导体非晶半导体有机半导体元素半导体Si，Ge化合物半导体GaN，InGaN，GaAs等第68页，共125页，星期日，2025年，2月5日金刚石、硅和锗的对比kc三者均为金刚石结构；禁带宽度分别为~5.4eV、~1.2eV和~0.7eV。在硅和锗中，一些电子在一般温度下就能受到热激发，越过禁带占据一些导电的能级。而当施加电场作用时，占据导带的电子就能引起电导。为半导体。只有在0K时，硅和锗才变得和金刚石一样，为绝缘体。第69页，共125页，星期日，2025年，2月5日硅和锗是两类十分重要的元素半导体元素半导体第70页，共125页，星期日，2025年，2月5日锗锗是一种稀散元素，在地壳中分布很分散，没有集中的矿藏。煤中含有微量的锗，煤燃烧后锗以GeO2富集在烟道灰里，但含量也不高。将GeO2收集、氯化、还原、提纯后可以得到金属锗。工艺流程长，不利于大批量生产。所以应用极为有限。第71页，共125页，星期日，2025年，2月5日硅硅资源十分丰富，仅次于氧列第二位硅的制备原料主要是石英砂。第72页，共125页，星期日，2025年，2月5日具有良好的热导率和高温力学性能、优异的半导体性质，可以稳定地制备大直径无位错的单晶。世界上几乎所有的集成电路都是单晶硅制成的，而且集成电路用硅占单晶硅整个用量的80%以上。此外，绝大多数的电力电子器件(可控硅、整流器等)、功率晶体管都是单晶硅制成的。硅是一种天然的电子元器件材料第73页，共125页，星期日，2025年，2月5日化合物半导体化合物半导体一般是由围绕周期表中IV族对称位置的元素组成的。GaAs第74页，共125页，星期日，2025年，2月5日砷化镓具有闪锌矿结构。也就是和硅、锗具有相似的结构。优点：工作温度较高，承受的电压较大，可以在更高的频率下