非晶铟镓锌氧基薄膜晶体管与肖特基二极管电学稳定性的深度剖析与比较.docx

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2025-12-03 发布于上海
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非晶铟镓锌氧基薄膜晶体管与肖特基二极管电学稳定性的深度剖析与比较

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，非晶铟镓锌氧基薄膜晶体管（a-IGZOTFT）与肖特基二极管作为重要的基础器件，扮演着举足轻重的角色。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZOTFT）作为新一代薄膜晶体管，凭借其高迁移率、均一性好、透明等显著优点，在显示技术、传感器、集成电路等众多领域展现出巨大的应用潜力。在显示技术领域，随着人们对显示设备的要求日益提升，如追求更高的分辨率、更快的响应速度、更广的视角以及更低的功耗等，传统的非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管逐渐难以满足这些高端需求。a-IGZO