第二章半导体三极管与分立元件放大电路.pptVIP

1、电压放大倍数的估算2、输入电阻和输出电阻的估算公式Ri=Rb∥rbe≈rbeRo=Rc第61页，共114页，星期日，2025年，2月5日2.5.1共集电路的组成、工作原理及其应用共集电极电路电原理图和交流通路如图2.5.1所示。从交流通路中可以看出，信号从基极输入，从发射极输出，集电极是输入、输出回路的公共端，故称为共集电极电路。由于被放大的信号从发射极输出，故又名“射极输出器”。2.5共集电路和共基电路一、电路组成第62页，共114页，星期日，2025年，2月5日图2.5.1共集电路（a）原理电路（b）交流通路第63页，共114页，星期日，2025年，2月5日二、工作原理电源VCC给三极管V的集电结提供反偏电压，又通过Rb给发射结提供正偏电压，使V工作在放大区。ui通过输入耦合电容C1加到V的基极，uo通过输出耦合电容C2送到负载RL上。三、电路静态分析VCC＝IBRb＋UBE＋IERe，又IE=(1+β)IB则IC=βIBUCE=VCC－IERe≈VCC－ICRe共集电路求Q点思路：IB(IE)→IC→UCE。Re有稳定静态工作点的作用，当IC因温度升高而增大时，Re上的压降（IERe）上升，导致UBE下降，牵制了IC的上升。第64页，共114页，星期日，2025年，2月5日四、共集电路性能指标估算及其应用（1）由于输入电阻高，故用作高输入电阻的输入级。（2）由于输出电阻低，可提高带负载能力，稳定输出电压，故用作低输出电阻的输出级。（3）因Au≈1，可以隔离前后级的影响，起阻抗变换和缓冲作用，故用作多级放大电路的中间级。第65页，共114页，星期日，2025年，2月5日2.5.2共基电路图2.5.2共基电路（a）原理电路（b）交流通路Rc为集电极电阻，Re为发射极偏置电阻，Rb1、Rb2为基极分压偏置电阻，构成分压式偏置电路。大电容Cb使基极对地交流短路。其交流通路如图2.5.2（b）所示，信号从发射极输入，从集电极输出，基极是输入、输出回路的公共端。第66页，共114页，星期日，2025年，2月5日1．求Q点共基电路的直流通路与共射分压式工作点稳定电路的直流通路完全相同，静态工作点的求法与之相同。思路：UB→IE→IC→UCE。2．共基电路的性能指标估算3．特点及适用场合共基电路允许的工作频率较高，高频特性较好，多用于高频和宽频带电路和恒流源电路中。Ro=Rc第67页，共114页，星期日，2025年，2月5日共射、共基、共集电路比较第68页，共114页，星期日，2025年，2月5日场效应晶体管(Fieldeffecttransistor，简称FET)是仅由多数载流子参与导电的半导体有源器件，它是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管，为电压控制器件。(1)FET的主要特点输入电阻非常高，输入端基本不取电流，噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺简单，便于大规模集成。2.6场效应晶体管及其放大电路(2)FET的分类按结构划分：结型场效应管（Junctionfieldeffecttransistor,简称JFET）和绝缘栅型场效应管（Insulatedgatefieldeffecttransistor，简称IGFET）。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两类。不论结型或增强型耗尽型绝缘栅场效应管，它们又有N沟道和P沟道两种。第69页，共114页，星期日，2025年，2月5日2.6.1增强型绝缘栅型场效应晶体管的结构、图形符号及其工作原理一、结构和图形符号增强型绝缘栅场效应管的结构示意图和电路符号如图2.6.1所示。其中图（a）为N沟道结构示意图。图2.6.1增强型MOS管的结构与符号（a）N沟道管结构示意图（