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微电子技术论文7571124.pdfVIP

微电子技术论文7571124.pdf

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    4388IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES,VOL.63,NO.11,NOVEMBER2016

    OperationandDesignofvanderWaalsTunnel

    Transistors:A3-DQuantumTransportStudy

    JiangCao,StudentMember,IEEE,DemetrioLogoteta,SibelÖzkaya,BlancaBiel,AlessandroCresti,

    MarcoG.Pala,Member,IEEE,andDavidEsseni,Fellow,IEEE

    Abstract—WeproposeamodelHamiltonianforvanderdegradedbythepresenceofinterfaceorbulkdefectsenabling

    Waalstunneltransistors(vdW-TFETs)relyingonfewphys-inelastictrap-assistedtunnelingintheOFF-state[8],[9].

    icalparameterscalibratedagainstdensityfunctionaltheoryVanderWaalsheterostructuresconsistingof2-Dgapped

    (DFT)bandstructurecalculations.Basedonthismodel,we

    developafully3-DnonequilibriumGreen’sfunctionsim-crystalsmayovercomesomeoftheaboveissues[10],[11],and

    ulatorincludingelectron-phononscattering,andweinvesti-havegreatpotentialforTFETs[12].Recently,vanderWaals

    gatesomefundamentalaspectsanddesignchallengesrelatedtunnelingandEsakidiodeshavebeenexperimentallydemon-

    tovdW-TFETsbasedonsingle-layerMoSandWTe.

    22strated[13],[14],andafirstdevicewithsubthermionicchar-

    Inparticular,wedevoteaspecificanalysistotheimpactofacteristicsrealized[15],butthedesignofvanderWaalstunnel

    topgatealignmentandback-oxidethicknessonthedevice

    performance.OurresultssuggestthatthevdW-TFETscantransistors(vdW-TFETs)i

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