InGaAs(P)_InP近红外单光子探测器暗计数特性的深度剖析与优化策略.docx

InGaAs(P)/InP近红外单光子探测器暗计数特性的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光通信、激光测距等前沿领域对于高灵敏度、高精度的光探测技术有着迫切的需求。InGaAs(P)/InP近红外单光子探测器凭借其独特的优势，成为了这些领域的关键器件。它基于InGaAs(P)/InP雪崩光电二极管（SinglePhotonAvalancheDiodes,SPADs），具有功耗低、不需超低温制冷、可靠性高、使用简单、易集成以及近红外探测效率高等优点，在光通讯波段（1310nm、1550nm）的量子密钥分发（QKD）中，能够实现安