原子层淀积二氧化钛叠层栅介质特性：微观结构、电学性能与应用前景.docx

原子层淀积二氧化钛叠层栅介质特性：微观结构、电学性能与应用前景

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体器件作为电子信息产业的核心基础，其性能的提升对于推动整个行业的进步至关重要。从日常使用的智能手机、电脑，到高端的人工智能设备、云计算服务器，半导体器件无处不在，扮演着关键角色。而在半导体器件的众多组成部分中，栅介质犹如心脏一般，对器件的性能起着决定性作用。它不仅直接影响着晶体管的开关速度、功耗以及可靠性，还在很大程度上决定了集成电路的集成度和运行效率。随着摩尔定律的不断推进，半导体器件的尺寸持续缩小，对栅介质材料的性能提出了更为严苛的挑战。

传统的SiO?栅介质