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2025年数字电路基础知识考核试题及答案
一、单项选择题（每题2分，共30分）
1.在CMOS反相器中，若PMOS与NMOS的宽长比之比为3:1，则其静态功耗最接近下列哪一项？
A.0nW
B.1nW
C.10nW
D.100nW
答案：A
解析：理想CMOS反相器在静态条件下无直流通路，仅存在皮安级漏电流，故静态功耗趋近于零。
2.某4位超前进位加法器完成一次运算所需门延迟为4级，若将位宽扩展至16位且不改变进位策略，则最坏情况延迟约为原延迟的多少倍？
A.1
B.2
C.4
D.16
答案：C
解析：超前进位加法器
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