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电子封装用ZrWMoO8Cu复合材料：制备工艺、性能调控与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的时代，电子设备正朝着小型化、高性能化、高可靠性的方向迈进。电子封装作为连接芯片与外部世界的关键环节，其重要性不言而喻。电子封装不仅为芯片提供物理保护，确保其在各种环境下稳定运行，还承担着实现标准规格化互连的重任，是保障电子产品性能稳定、延长使用寿命的关键因素。从智能手机到高性能计算机，从汽车电子到航空航天设备，电子封装材料的性能直接影响着整个电子系统的性能和可靠性。

随着芯片集成度的不断提高，电子设备的散热问题日益突出。芯片在工作过程中会产生大量热量，如果不能及时有效地散发出去，将会导致芯片温度升高，进而影响其性能和可靠性，甚至引发设备故障。因此，开发具有高导热性能的电子封装材料成为了当前研究的热点之一。此外，不同材料之间的热膨胀系数差异也会在温度变化时产生热应力，这可能导致封装结构的损坏，影响电子设备的长期稳定性。因此，寻找一种热膨胀系数与芯片和其他封装材料相匹配的电子封装材料同样至关重要。

ZrWMoO8Cu复合材料作为一种新型的电子封装材料，具有独特的性能优势。ZrWMoO8是一种典型的负热膨胀材料，在一定温度范围内，其体积会随着温度的升高而减小，这种特性使得它能够有效地补偿金属材料的正热膨胀，从而降低复合材料的整体热膨胀系数。而铜（Cu）则具有良好的导电性、导热性和机械性能，是电子封装领域常用的材料之一。将ZrWMoO8与Cu复合，可以充分发挥两者的优势，制备出具有低热膨胀系数和高导热率的复合材料，满足电子封装材料对热性能的严格要求。研究ZrWMoO8Cu复合材料的制备及性能，对于推动电子封装技术的发展，提高电子设备的性能和可靠性具有重要的理论意义和实际应用价值。它不仅有助于解决当前电子封装领域面临的散热和热应力问题，还为新型电子封装材料的开发提供了新的思路和方法，有望在未来的电子设备中得到广泛应用。

1.2国内外研究现状

在国外，对ZrWMoO8Cu复合材料的研究开展得相对较早。一些科研团队采用粉末冶金法，将ZrWMoO8粉末与铜粉均匀混合，通过压制和烧结工艺制备复合材料。研究发现，随着ZrWMoO8含量的增加，复合材料的热膨胀系数显著降低，但同时也会导致材料的致密度和热导率有所下降。为了改善这一问题，他们尝试对ZrWMoO8粉末进行表面处理，如采用化学镀的方法在其表面包覆一层金属铜，以增强ZrWMoO8与铜基体之间的界面结合力，从而提高复合材料的综合性能。部分学者通过热压烧结工艺制备该复合材料，发现热压温度和压力对复合材料的致密度和性能有显著影响。在合适的热压条件下，可以制备出致密度高、热膨胀系数低且热导率较高的ZrWMoO8Cu复合材料。

国内在ZrWMoO8Cu复合材料方面的研究也取得了不少成果。有学者利用水合前驱体分解法成功制备出高纯棒状钨钼酸锆（ZrWMoO8）粉体，并在超声环境下采用化学镀方法对其进行铜包覆。实验结果表明，室温环境下可保证镀液的稳定性，粉体经敏化活化后，可在ZrWMoO8粉体表面成功镀覆上一层比较致密的铜单质，经计算，包覆Cu与ZrWMoO8的质量比为1：1。还有研究采用复合电铸制造技术，利用超声辅助的方式制备Cu/ZrW2O8复合材料（ZrWMoO8与ZrW2O8同属负热膨胀材料体系，制备工艺有一定相关性），分析了复合电铸工艺参数对复合铸层中微粒含量的影响。通过金相显微镜、SEM、XRD等手段对复合材料的微观结构和性能进行表征，发现超声辅助能够有效提高ZrW2O8在铜基体中的分散均匀性，进而改善复合材料的性能。

然而，目前国内外对于ZrWMoO8Cu复合材料的研究仍存在一些不足之处。一方面，在制备工艺上，现有的方法往往存在工艺复杂、成本较高等问题，限制了该复合材料的大规模工业化生产。另一方面，对于复合材料的性能研究还不够深入全面，尤其是在高温、高湿度等极端环境下的性能稳定性以及长期可靠性方面的研究相对较少。此外，复合材料的界面结构与性能之间的关系也有待进一步明确，这对于优化复合材料的性能具有重要意义。

1.3研究目标与内容

本研究旨在深入探究电子封装用ZrWMoO8Cu复合材料的制备工艺及其性能，开发出一种高效、低成本的制备方法，制备出具有优异综合性能的ZrWMoO8Cu复合材料，为其在电子封装领域的实际应用提供理论依据和技术支持。

在制备方法研究方面，将尝试改进现有的粉末冶金法和化学镀法，优化工艺参数，如温度、压力、时间等，以提高ZrWMoO8与铜基体之间的界面结合力，改善ZrWMoO8在铜基体中的分散均匀性，从而降低制备成本，提高生产效率。同时，探索新的制备工艺，