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元器件期中试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.半导体材料中，P型半导体主要依靠导电的是（）。

A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子

2.在杂质半导体中，N型半导体的多数载流子是（）。

A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子

3.二极管正向偏置时，其工作特性主要是（）。

A.高阻态B.低阻态C.几乎不导电D.短路

4.稳压二极管正常工作时的偏置方式是（）。

A.正向偏置B.反向偏置C.反向击穿D.正向击穿

5.晶体三极管实现放大作用的外部条件之一是发射结处于（）。

A.反向偏置B.正向偏置C.零偏置D.不确定

6.晶体三极管实现放大作用的外部条件之一是集电结处于（）。

A.反向偏置B.正向偏置C.零偏置D.不确定

7.当温度升高时，硅二极管的反向饱和电流将（）。

A.增大B.减小C.不变D.等于零

8.场效应管（FET）是（）控制器件。

A.电流B.电压C.频率D.功率

9.对于BJT，其电流放大系数β的定义是（）。

A.Ic/IbB.Ie/IbC.Ic/IeD.Ib/Ic

10.MOSFET的栅极与源极之间是（）。

A.导通状态B.截止状态C.极间电容D.电阻

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填在横线上）

1.半导体中有两种载流子，分别是__________和__________。

2.PN结加正向电压时，其耗尽层宽度将__________。

3.二极管的最基本特性是__________特性。

4.稳压二极管工作在__________区，以实现稳压功能。

5.晶体三极管按结构可分为__________型和__________型。

6.测量三极管各极对地电压，发现Vc=5V，Ve=2.1V，Vb=2.8V，则该管为__________型管，其发射极是__________极。

7.测得某放大电路中三极管的直流电流Ib=20μA，则其集电极电流Ic约为__________mA。（假设β=100）

8.MOSFET根据其导电类型可分为__________管和__________管。

9.MOSFET的栅极通过一个较大的__________来控制其导通与截止。

10.N沟道增强型MOSFET，其栅源电压Vgs大于零且大于开启电压Vth时，才能__________。

三、判断题（每题1分，共10分。请将正确选项填在括号内，√表示正确，×表示错误）

1.半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。（）

2.本征半导体中，掺入五价杂质元素会形成N型半导体。（）

3.二极管两端加反向电压时，一定处于截止状态。（）

4.稳压二极管正常工作在反向截止区。（）

5.晶体三极管可以看作是一个电流控制电流的器件。（）

6.三极管的集电极电流Ic等于基极电流Ib和发射极电流Ie之和。（）

7.对于BJT，基极电流越大，其电流放大系数β就一定越大。（）

8.MOSFET是电压控制器件，其栅极电流通常为零。（）

9.MOSFET的栅极电压可以使其产生正向导通或反向截止。（）

10.N沟道MOSFET的漏极和源极在结构上是对称的，可以互换使用。（）

四、作图题（每题5分，共10分）

1.请分别画出N型半导体和P型半导体的能带结构示意图（标注导带、价带及费米能级的变化）。

2.请画出N沟道增强型MOSFET的符号，并标明其栅极（G）、源极（S）、漏极（D）以及漏源电压（Vds）和栅源电压（Vgs）。

五、计算题（每题10分，共20分）

1.一个硅二极管，其正向压降为0.7V，反向饱和电流为0.1μA。若在其两端分别加下列电压，求流过二极管的电流I（假设二极管模型为理想模型，即正向导通电阻为零，反向截止电阻为无穷大；或采用恒压降模型）。

(1)正向电压为0.5V时；

(2)反向电压为-5V时；

(3)反向电压为+5V时。

2.某放大电路中的BJT处于放大状态，测得Vcc=12V，Rc=3kΩ，Rb=280kΩ，Ic=1.5mA。求该电路的静态工作点（即IB、VCe、VCe）。假设Vbe=0.7V。

六、分析题（每题15分，共30分）

1.简述二极管整流电路的基本工作原理。在半波整流和全