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多层缺陷石墨烯薄膜杨氏模量的分子动力学研究 (2).docx

多层缺陷石墨烯薄膜杨氏模量的分子动力学研究 (2).docx

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    论文（设计）题目：多层缺陷石墨烯薄膜杨氏模量的分子动力学研究。

    内容提要

    本文主要运用分子动力学方法采用纳米压痕理论测量多层缺陷石墨烯薄膜的杨氏模量。主要实验对象有单空位缺陷(SV缺陷)、双空位缺陷(DV缺陷)、Stone-Wales缺陷(SW缺陷)。

    其主要实验内容有：

    利用纳米压痕理论，使用Lammps计算拟合出应力与应变的关系(力与扰度)，再使用计算公式进一步拟合出层数与杨氏模量的变化关系。本文探究1-15层缺陷石墨烯薄膜。

    模拟得出三种缺陷(SV、DV、SW)的计算模型

    将三种缺陷石墨烯薄膜数据与完美石墨烯相对比且三种缺陷再进行互相

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