微电子工艺面试问答.docxVIP

ＥＰＩ外延PR光刻CＭP化学机械抛光DIF扩散ETCH刻蚀CVD化学气象沉积

liｔho就是光刻

Ｄ——drａin漏极S——ｓｏurｃｅ源极Ｇ——gａtｅ栅极

YE——良率(提高）工程师

PIE——工艺整合工程师

CＭP——chemｉｃaｌmechａnicalpｏlish化学机械抛光

ＰCM——ｐｒocｅｓsｃonｔrolmonｉtoｒ工程控制监测

ＷAT——wafeｒacceptａｎceｔeｓｔing芯片电性(验收）测试

IＣ——inｔegrａteｄcirｃｕiｔ集成电路

CＭＯS——cｏmpｌementａrymetaloxｉｄesｅmicoｎｄuｃtor互补金属氧化物半导体

ＭOＳFＥT——Ｍetａl-Oxiｄe-SemicondｕctorFielｄ-EfｆecｔTrａｎsistｏr金氧半场效晶体管

N型——negatiｖetype

Ｐ型——pｏｓｉtｉvｅtyｐe

VT——阈值电压，通常将传播特征曲线中输出电压随输入电压变化而急剧变化转折区的终点相应的输入电压称为阈值电压．也称为开启电压。当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Sｉ表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处在临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压，它是ＭOSFET的重要参数之一

VDS——最大漏-源电压

VGS——最大栅源电压

ＩＤ——连续漏电流

IＤM——脉冲漏极电流

PD——允许沟道总功耗

VB——反向峰值击穿电压

RC——电容电阻

１．PN结、MＯS管这种简朴器件原理特征曲线了解一下?

——PN结加正向电压（外电场和内电场相反)时，具备较大的正向扩散电流,展现低电阻，PＮ结导通；

PN结加反向电压时，具备很小的反向漂移电流，展现高电阻，PN结截止。

由此可以得出结论：PN结具备单向导电性。

硅0．7Ｖ锗0.３V。

——

2.wafｅr？硅片的流程?

3.NMOＳ管加啥电流是rｅad的状态?

４.二极管V－Ａ特征曲线？

5.怎么测VT?

——draiｎ加工作电压ｓource接地,测Ids仿佛到一个值了就是VＴ。

MOＳ的阈值电压是一个范围值的。

通常情况下与耐压关于,例如几十V的耐压通常为1-2V，

20０v以内的通常为2-4V，２00V以上的通常为3-5V。

当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。

这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOＳ管的时候,一定要看

该型号MOS的ＤAＴＡＳHＥEＴ，才能用好。

６．ｇate下厚度与VT关系?

——栅氧厚度的降低,阈值电压减小,漏电流增大

７.MOＳ管啥用？

——用于放大电路或开关电路。提供一个稳定的电压。

8．ＮMOS是长在Ｎ型区还是P型区?

——P衬底上