椭圆偏振测量技术解析氮化物半导体材料光学特性的深度研究.docx

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2025-12-12 发布于上海
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椭圆偏振测量技术解析氮化物半导体材料光学特性的深度研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着光电子技术的飞速发展，氮化物半导体材料凭借其独特的物理性质，在光电子领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。氮化物半导体材料主要包括氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、氮化铝（AlN）及其三元合金如InGaN、AlGaN等。这类材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率以及良好的化学稳定性等优异特性。其中，宽禁带特性使氮化物半导体能够承受更高的击穿电压，在高功率、高频电子器件制造中表现出色，例如氮化镓场效应晶体管（GaNFET）已广泛应用于5G通信基站的射频功率放大器，有效提高了信号传输效