AI产业系列深度报告：AI技术创新与供需格局变化，共同驱动存储景气周期.docxVIP

行业研究行业深度报告 ·|电子

行业研究行业深度报告

强于大市(维持)AI技术创新与供需格局变化，共同驱动存储景气周期

强于大市(维持)

——AI产业系列深度报告

——AI产业系列深度报告

2025年12月08日

行业相对沪深

行业相对沪深300指数表现

——电子沪深300

70%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%存储市场规模较大，有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期：据CFM闪存市场数据显示，2025Q3全球存储市场规模创造季度历史新高，且已连续两个季度增长，其中DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元。当前存储芯片有

70%

60%

50%

40%

30%

20%

10%

0%

-10%

-20%

数据来源：聚源，万联证券研究所

数据来源：聚源，万联证券研究所

相关研究

12月TV面板价格有望企稳，明年需求端转暖可期

SW电子Q3业绩高增长，持续关注AI与国产链

SW电子基金重仓比例创新高，存储关注度提升

服务器存储受益于云厂商资本开支加速，端侧存储有望持续扩容：全球八大核心云端服务提供商2025年以来均加大资本投入以响应AI数据中心与云端运算的旺盛需求，根据TrendForce集邦咨询预测，2025年全球八大云厂商资本支出总额年增率预计为65%，并预期2026年行业仍将维持积极投资节奏，合计资本支出将突破6000亿美元，年增率达40%。资本支出的持续扩张有望全面带动AI服务器需求升温，进而拉动存储器等上游供应链需求。在存储器下游应用中，服务器存储占比有望进一步提升，NAND领域，算力中心积极应用超高容量eSSD提升性能、降低能耗；DRAM方面，随着支持DDR5的处理器平台渗透率提升、搭载AI加速芯片的AI服务器出货放量，服务器DDR5及HBM需求快速增长。同时，2024-2025年全球手机及PC出货量持稳，AI手机、AIPC等智能终端加速渗透，端侧存储有望持续扩容。

技术创新驱动存储市场成长,供给端调控产能致DDR4等供不应求：HBM、DDR5引领高端DRAM市场，其中HBM技术持续迭代，存储容量与带宽不断提升，主流AI加速卡多数采用HBM配置方案，有望推动HBM市场规模稳步增长；DDR5在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。NAND市场方面，QLCNAND技术逐步成熟，兼顾大容量、低功耗、高性能的QLCSSD成为企业级存储新星，渗透率有望提升。为应对AI算力旺盛需求，存储大厂调整产能规划至HBM等高端环节，减产或停供DDR4等传统产品，使相关产品价格大幅上扬。

存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量，产业链迎来发展机遇：全球存储市场集中度较高，竞争格局较为稳定，三星、SK海力士、美光等厂商稳居前列。国产DRAM龙头厂商长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应，出货量有望逐步攀升。国产NANDFlash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。AI驱动、技术创新叠加供需格局变化，国内存储厂商、模组厂商有望充分受益于存储新一轮景气周期。此外，存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支，上游半导体设备有望受益。

第2页共23页

投资建议：AI浪潮持续推进，云厂商资本开支加速，服务器存储需求旺盛；同时AI+消费终端等应用加速渗透，端侧存储持续扩容，存储行业有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期。1）存储原厂，需求端迎来AI强驱动，供给端存储厂商产能调控叠加技术创新加速，行业供需缺口或进一步扩大，产品价格上涨态势有望延续，关注存储厂商盈利能力提升带来的投资机遇；同时国内存储厂商技术持续突破，国产份额有望提升，关注存储行业国产替代的投资机遇。2）存储模组厂商，国内存储模组厂商毛利率有所回升，同时备货力度持续加大，叠加下游终端需求改善，模组厂商盈利能力有望改善，关注模组厂商业绩转暖的投资机遇。3）上游设备供应商，存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支，提振上游半导体设备行业需求，建议关注设