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基于表面势解析多晶硅薄膜晶体管正向工作区建模与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，多晶硅薄膜晶体管（Poly-SiTFT）凭借其独特优势，成为平板显示器（FDP）、图像传感器等众多光电电子应用的关键组成部分。多晶硅薄膜晶体管具备制造成本低、制造周期短的显著特点，在LCD显示中，能够实现高分辨率、高亮度的图像显示，为人们带来更清晰、逼真的视觉体验；在图像传感器方面，助力提升图像的捕捉和处理能力，广泛应用于数码相机、手机摄像头等设备，推动了消费电子行业的发展。

然而，多晶硅薄膜晶体管的性能存在一定限制，其中正向工作区的稳定性问题尤为突出。正向工作区作为导电区域，电子在该区域受促进而移动产生电流。但多晶硅晶体管正向工作区的表面能量较大，致使载流子易被吸附，并受到表面散射的影响，进而造成晶体管电流不稳定。这种不稳定性会导致显示器出现图像闪烁、色彩偏差等问题，严重影响显示质量；在图像传感器中，则可能导致图像噪声增加、分辨率降低，影响图像的准确性和清晰度。

为解决这一问题，对多晶硅薄膜晶体管正向工作区进行建模和分析显得至关重要。通过深入研究多晶硅晶体管的物理过程，能够为优化其性能提供坚实的理论依据，进而寻找改善正向工作区稳定性的有效途径。这不仅有助于提升多晶硅薄膜晶体管在现有应用中的性能表现，还能拓展其在新兴领域，如人工智能硬件加速、物联网传感器节点等方面的应用，具有重要的理论与实际应用价值。

1.2国内外研究现状

在多晶硅薄膜晶体管建模领域，国内外学者开展了广泛且深入的研究。早期，研究主要聚焦于基于阈值电压的模型构建。这种模型以阈值电压为关键参数，描述晶体管的工作状态，但在处理晶界离散分布特性以及不同工作区电流连续性问题上存在不足。随着研究的推进，基于表面势的建模方法逐渐受到关注。

国外方面，一些研究团队通过求解泊松方程，结合有效电荷法来获取表面势，进而推导出漏电流表达式。他们充分考虑陷阱态密度、掺杂浓度等因素对器件电学特性的影响，建立了较为完善的模型。在对围栅多晶硅薄膜晶体管的研究中，利用围栅结构的对称性以及等效电荷等方法，成功得到表面势的非迭代解，并基于此建立了漏电流和电容模型。这些研究成果为多晶硅薄膜晶体管的性能分析和电路设计提供了有力支持，但在模型的通用性和准确性方面仍有提升空间，尤其在复杂工作条件下，模型与实际器件的偏差较为明显。

国内学者也在该领域取得了丰硕成果。部分研究根据基于表面势模型的建模思想，考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点，提出了新的直流漏电流模型。该模型采用单一解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流，有效解决了基于阈值电压模型中各工作分区电流表达式不连续的问题。在数值模拟和实验验证方面，国内研究团队通过建立多晶硅晶体管正向工作区的实验模型，测量实验数据，并与理论模型结果进行对比，验证了模型的正确性，同时也为模型的进一步优化提供了实验依据。然而，国内研究在模型的精细化和与国际前沿研究的融合方面，仍需不断努力。

1.3研究内容与方法

本研究聚焦于基于表面势的多晶硅薄膜晶体管正向工作区的建模，具体研究内容涵盖以下几个方面：深入剖析多晶硅薄膜晶体管的结构及电学特性，全面了解其工作原理和内在机制；构建多晶硅薄膜晶体管正向工作区的表面势模型，准确描述表面势与各物理参数之间的关系；探究多晶硅晶体管载流子在表面散射下的物理过程，并建立相应模型，揭示载流子输运规律；分析表面散射对多晶硅晶体管正向工作区稳定性的影响，明确影响稳定性的关键因素；提出多晶硅晶体管正向工作区改善方法，并通过仿真验证其有效性，为实际应用提供可行方案。

在研究方法上，综合运用多种手段。采用理论分析方法，对多晶硅薄膜晶体管的物理机制进行深入分析，建立多晶硅晶体管正向工作区的表面势模型，并精确计算模型参数；通过建立多晶硅晶体管正向工作区的实验模型，测量关键实验数据，并与理论模型结果进行细致比较，以验证模型的正确性；借助有限元模拟软件，模拟多晶硅晶体管正向工作区的物理过程，深入分析表面散射对电流稳定性的影响，并提出针对性的改善方法。通过多种方法的有机结合，确保研究的全面性、准确性和可靠性。

二、多晶硅薄膜晶体管基础

2.1结构与工作原理

2.1.1基本结构组成

多晶硅薄膜晶体管主要由基板、栅极、有源层、栅绝缘层、源极和漏极等部分构成。基板作为整个器件的支撑结构，通常采用玻璃、塑料等绝缘材料。在平板显示器中，玻璃基板凭借其良好的平整度、绝缘性和化学稳定性，为多晶硅薄膜晶体管的制备提供了稳定的基础；而在柔性电子设备中，塑料基板则因其轻薄、可弯曲的特性，使多晶硅薄膜晶体管能够应用于可穿戴设备、柔性显示屏等领域。

栅极是控制晶体管工作状态的关键部分，一般由金属（如钼、钨等）或高导电性的多晶硅制成。这些材