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探索Ni基4H-SiC接触制备：实现均匀肖特基势垒的关键路径

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的代表，凭借其独特的物理性质脱颖而出。与传统的硅基材料相比，SiC具有宽带隙、高临界电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等显著优势。这些优势使得SiC在高温、高频、高功率以及抗辐射等极端环境下的应用中展现出巨大的潜力。

在电力电子领域，随着新能源汽车、智能电网、轨道交通等行业的快速发展，对功率器件的性能提出了更高的要求。SiC功率器件因其低导通电阻、高开关速度和出色的高温稳定性，能够显著提高电力转换效率，降低能量损耗，减小设备体积和重量。例如，在新能源汽车的充电桩、车载充电器和电机驱动器中，采用SiC器件可以实现更高的功率密度，从而延长电动汽车的续航里程；在智能电网中，SiC器件有助于提升电力传输的稳定性和可靠性。

在通信领域，特别是随着5G技术的普及，对高频、高功率器件的需求日益增长。SiC的高电子迁移率和良好的高频特性，使其成为制造5G基站功率放大器和射频器件的理想材料，有助于提升通信信号的传输质量和覆盖范围。此外，在航空航天、国防军工等领域，SiC材料的高抗辐射能力和耐高温性能，使其在卫星通信、雷达系统、导弹防御等关键应用中发挥着重要作用。

在众多SiC材料的应用中，肖特基势垒二极管（SBD）是一种基于金属-半导体接触的重要器件。其中，Ni基4H-SiC接触由于其良好的电学性能和相对简单的制备工艺，受到了广泛的关注。然而，在实际制备过程中，肖特基势垒的均匀性问题一直是制约器件性能进一步提升的关键因素。肖特基势垒的不均匀性会导致器件的正向导通特性变差、反向漏电流增大以及击穿电压降低等问题，从而严重影响器件的可靠性和稳定性。

因此，研究具有均匀肖特基势垒的Ni基4H-SiC接触的制备方法，对于提高SiC器件的性能，拓展其在各个领域的应用具有重要的理论和实际意义。通过优化制备工艺，实现肖特基势垒的均匀分布，有望进一步提升SiC器件的性能，推动相关行业的技术进步，为实现更高效、更可靠的电子系统提供坚实的基础。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队和学者对Ni基4H-SiC接触的制备进行了大量的研究。在制备工艺方面，常见的方法包括电子束蒸发、磁控溅射、化学气相沉积等。例如，有研究采用高真空电子束蒸发技术将镍（Ni）淀积在4H-SiC表面，制备出Ni/4H-SiC肖特基接触，通过优化蒸发速率和衬底温度等工艺参数，改善了接触的质量。磁控溅射工艺也被广泛应用，该方法能够在较大面积的衬底上实现均匀的薄膜沉积，并且可以精确控制薄膜的厚度和成分。化学气相沉积则可以在较低温度下进行，有利于减少对衬底的热损伤，同时能够制备出高质量的Ni基薄膜。

在肖特基势垒不均匀性的研究上，许多学者从不同角度进行了探索。部分研究发现，金属与半导体界面的杂质、缺陷以及晶格失配等因素会导致肖特基势垒高度的不均匀分布。通过对界面进行预处理，如采用等离子体清洗、化学刻蚀等方法，可以减少界面杂质和缺陷，从而降低势垒的不均匀性。还有研究利用退火工艺来改善肖特基势垒的均匀性，适当的退火温度和时间可以促进金属与半导体之间的原子扩散，使界面更加均匀，进而优化势垒分布。

尽管取得了一定的研究成果，但目前仍存在一些问题尚未完全解决。例如，在制备工艺方面，如何进一步提高工艺的重复性和稳定性，实现大规模、高质量的制备仍然是一个挑战。对于肖特基势垒不均匀性的研究，虽然已经明确了一些影响因素，但对于这些因素之间的相互作用机制以及如何精确控制势垒的均匀性，还需要更深入的研究。此外，不同制备工艺对肖特基势垒均匀性的影响规律也尚未完全清晰，这限制了对制备工艺的进一步优化。

1.3研究内容与方法

本研究围绕具有均匀肖特基势垒的Ni基4H-SiC接触的制备展开，主要研究内容包括以下几个方面：首先，系统研究不同制备工艺对Ni基4H-SiC接触肖特基势垒均匀性的影响。对比电子束蒸发、磁控溅射、化学气相沉积等多种制备方法，分析工艺参数如蒸发速率、溅射功率、沉积温度等对肖特基势垒均匀性的影响规律，确定最佳的制备工艺及参数组合。

其次，深入探究影响肖特基势垒均匀性的关键因素。从材料的微观结构入手，研究金属与半导体界面的杂质、缺陷、晶格匹配等因素对势垒均匀性的影响机制。通过对界面进行预处理和优化退火工艺，探索减少界面缺陷、改善晶格匹配的方法，以提高肖特基势垒的均匀性。

最后，对制备得到的Ni基4H-SiC接触进行全面的性能分析。采用多种测试手段，如电流-电压（I-V）特性测试、电容-电压