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第1页，共38页，星期日，2025年，2月5日N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。第2页，共38页，星期日，2025年，2月5日3.1.1增强型MOS场效应管N沟道EMOSFET结构示意图N+N+P+P+PUSGD源极漏极衬底极SiO2绝缘层金属栅极P型硅衬底SGUD电路符号l沟道长度W沟道宽度第3页，共38页，星期日，2025年，2月5日源极S(Source)漏极D（Drain）衬底引线U栅极G(Gate)N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图第4页，共38页，星期日，2025年，2月5日N沟道EMOS管外部工作条件VDS0(保证栅漏PN结反偏)。U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。VGS0(形成导电沟道)PP+N+N+SGDUVDS-+-+VGSN沟道EMOS管工作原理栅?衬之间相当于以SiO2为介质的平板电容器。绝缘栅场效应管利用VGS来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流ID。第5页，共38页，星期日，2025年，2月5日工作原理分析：(1)VGS=0漏源之间相当于两个背靠背的PN结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。SUDN沟道EMOSFET沟道形成原理假设VDS=0，讨论VGS作用第6页，共38页，星期日，2025年，2月5日VGG(2)VDS=0，0VGSVGS(th)当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID。第7页，共38页，星期日，2025年，2月5日(3)VDS=0，VGS≥VGS(th)进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（称为开启电压)，此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。VGGVGS升高，N沟道变宽。因为VDS=0，所以ID=0。VGS(th)为开始形成反型层所需的VGS，称开启电压。第8页，共38页，星期日，2025年，2月5日PP+N+N+SGDUVDS=0-+VGS形成空间电荷区并与PN结相通VGS?衬底表面层中负离子?、电子?VGS?开启电压VGS(th)形成N型导电沟道表面层npVGS越大，反型层中n越多，导电能力越强。反型层第9页，共38页，星期日，2025年，2月5日VDS对沟道的控制（假设VGSVGS(th)且保持不变）VDS很小时→VGD?VGS。此时沟道深度近似不变，即Ron不变。由图VGD=VGS-VDS因此VDS?→ID线性?。若VDS?→则VGD?→近漏端沟道?→Ron增大。此时Ron?→ID?变慢。PP+N+N+SGDUVDS-+VGS-+PP+N+N+SGDUVDS-+VGS-+第10页，共38页，星期日，2025年，2月5日当VDS增加到使VGD?=VGS(th)时→A点出现预夹断若VDS继续?→A点左移→出现夹断区此时VAS=VAG+VGS=-VGS(th)+VGS（恒定）若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l不变（即Ron不变）。因此预夹断后：PP+N+N+SGDUVDS-+VGS-+APP+N+N+SG