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2025年专利代理人实务专项训练模拟试卷（附答案）

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

请判断下列关于专利法适用对象的说法是否正确，并简要说明理由。

1.任何能够解决技术问题、具有实用性并能产生积极效果的技术方案，无论其是否具有新颖性或创造性，都可以申请实用新型专利。

2.外国单位或者个人可以在中国申请专利，也可以在中国履行专利申请程序。

3.专利权人对其发明创造享有的独占实施权，是指禁止他人未经许可，为生产经营目的制造、使用、许诺销售、销售、进口其专利产品或者使用其专利方法以及使用、许诺销售、销售、进口依照该专利方法直接获得的产品。

4.专利申请的新颖性要求是相对于申请日以前在国内外为公众所知的技术方案而言的。

5.专利申请的创造性要求该发明相对于现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步。

二、

阅读以下关于某发明创造的技术交底书摘要和部分现有技术信息，回答问题。

技术交底书摘要：

本发明涉及一种用于半导体芯片制造的蚀刻工艺，特别是一种改进的干法蚀刻工艺。该工艺在传统的等离子体蚀刻过程中，引入一种特定的惰性气体混合物，并在特定的温度和压力条件下进行。实验表明，该工艺能够显著提高蚀刻速率，同时减少侧壁粗糙度和腐蚀副产物。

现有技术信息：

文献A公开了一种等离子体干法蚀刻工艺，使用X气体进行蚀刻，在温度T1和压力P1下，蚀刻速率较慢，且侧壁粗糙度较大。

文献B公开了一种改进的等离子体干法蚀刻工艺，在文献A的基础上提高了温度至T2，蚀刻速率有所提高，但副产物增多。

文献C公开了一种使用Y气体的干法蚀刻工艺，在温度T3和压力P2下，蚀刻速率较快，但选择性较差，容易损伤下方层。

问题：

1.请根据上述技术交底书摘要和现有技术信息，分析该发明相对于现有技术（文献A、B、C）可能具备的创造性。请说明你的分析思路和判断依据。

2.假设该发明要求保护一种新的蚀刻气体混合物及其在所述蚀刻工艺中的使用方法，请构思该发明可能的独立权利要求保护范围，并简要说明理由。

三、

请根据以下说明书片段，回答问题。

本发明涉及一种显示面板，尤其是一种有机发光二极管显示面板。该显示面板包括基板、设置在基板上的阵列基板和彩色滤光片基板，以及设置在阵列基板和彩色滤光片基板之间的有机发光二极管层。

为了解决现有技术中有机发光二极管寿命短的问题，本发明在有机发光二极管层中设置了一种特殊的电子传输材料D。材料D具有特定的分子结构，能够在发光过程中有效捕获并复合电子，从而延长电子寿命，提高器件整体寿命。

有机发光二极管层包括发光层和分别设置在发光层上下方的阴极和阳极。阴极采用传统的钙铝阴极材料，阳极采用ITO透明导电膜。材料D均匀地分布在发光层中。

实施例1：采用本发明的有机发光二极管显示面板，在8000小时测试后，亮度衰减率为5%。

实施例2：在不使用材料D的对比实施例中，在8000小时测试后，亮度衰减率为15%。

问题：

1.请分析上述说明书片段中关于材料D的公开是否满足《专利法》第二十六条第四款规定的充分公开要求。如果不满足，请说明理由；如果满足，请具体说明公开了哪些必要技术内容。

2.假设权利要求1要求保护一种包含材料D的有机发光二极管，请评价该权利要求是否得到说明书的支持。请说明理由。

四、

假设你作为专利代理人，收到以下审查意见通知书：

本通知书针对申请号【示例：202XXXXXX】、名称【示例：一种新型催化剂及其制备方法】的发明专利申请。

审查员认为，该申请要求保护的发明创造，其技术方案实质上属于公知技术，不具备专利法第二十二条第二款规定的创造性。具体来说，对比文件【示例：CN102XXXXXXA】公开了一种类似的催化剂，其制备方法与本申请要求保护的制备方法基本相同，且对比文件公开的技术方案能够达到与本申请同样的技术效果，即提高反应速率。因此，本申请要求保护的发明相对于对比文件【示例：CN102XXXXXXA】不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第二款的规定，请求驳回该申请。

问题：

请代作为专利代理人，草拟一份针对上述审查意见的答复意见，阐述拒绝驳回请求的理由。请重点说明本申请的发明相对于对比文件【示例：CN102XXXXXXA】所具有的创造性，并可以提出修改意见（例如，限定特定的制备参数或组分）来支持你的观点。

五、

请撰写一段关于权利要求保护范围确定的原则的论述，并结合实例简要说明。

试卷答案

一、

1.错误。实用新型专利授权条件之一是新颖性，且要求是“实用新型”。并非所有能解决技术问题、具有实用性和积极效果的技术方案都必然具备新颖性，且必须属于实用新型范畴。

2.错误。根据《专利法》规定，外国单位和个人在中国申请