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集成电路技术试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种工艺步骤是集成电路制造中实现器件隔离的关键技术？

A.离子注入

B.化学气相沉积（CVD）

C.浅槽隔离（STI）

D.金属化

答案：C

2.CMOS工艺中，p阱和n阱的主要作用是：

A.提高载流子迁移率

B.形成不同导电类型的MOSFET有源区

C.增强衬底机械强度

D.降低漏电流

答案：B

3.光刻工艺中，分辨率（R）的计算公式为R=k?λ/NA，其中NA表示：

A.曝光波长

B.数值孔径

C.工艺因子

D.焦深

答案：B

4.以下哪种器件结构属于全耗尽型晶体管？

A.平面MOSFET

B.FinFET

C.双极结型晶体管（BJT）

D.结型场效应晶体管（JFET）

答案：B

5.动态随机存储器（DRAM）的存储单元核心是：

A.电容+MOS管

B.两个交叉耦合的反相器

C.浮栅MOS管

D.电阻+二极管

答案：A

6.铜互连工艺中，为何需要使用扩散阻挡层（如Ta/TaN）？

A.提高铜的电导率

B.防止铜向介质层扩散

C.增强互连机械强度

D.降低光刻对准误差

答案：B

7.衡量集成电路设计中时序收敛的关键指标是：

A.面积利用率

B.功耗密度

C.建立时间（SetupTime）和保持时间（HoldTime）

D.信号完整性

答案：C

8.以下哪种测试方法用于检测集成电路中的开路或短路缺陷？

A.功能测试

B.直流参数测试（DCTest）

C.交流测试（ACTest）

D.内建自测试（BIST）

答案：B

9.三维集成电路（3DIC）中，硅通孔（TSV）的主要作用是：

A.增加芯片散热面积

B.实现不同芯片层间的垂直互连

C.替代传统金属布线

D.提高器件集成密度

答案：B

10.以下哪项是深紫外光刻（DUV）与极紫外光刻（EUV）的主要区别？

A.曝光光源波长不同（DUV为193nm，EUV为13.5nm）

B.光刻胶材料不同

C.掩模结构不同（DUV为透射式，EUV为反射式）

D.以上均是

答案：D

二、填空题（每空2分，共20分）

1.集成电路制造中，硅片预处理的关键步骤包括______、______和氧化层生长。（清洗、抛光）

2.MOSFET的阈值电压（Vth）计算公式为Vth=Φms+2Φf+(2qNsubεsiΦf)^0.5/Cox，其中Φms表示______，Cox表示______。（金属-半导体功函数差、栅氧化层电容）

3.双极晶体管（BJT）的三个工作区域为______、______和饱和区。（截止区、放大区）

4.互连延迟的计算公式为______，其中R为互连电阻，C为互连电容。（τ=RC）

5.先进制程中，高κ介质（如HfO?）替代传统SiO?作为栅介质的主要目的是______。（降低栅泄漏电流，同时保持等效氧化层厚度）

6.片上系统（SoC）设计中，IP核的主要类型包括______、______和软核。（硬核、固核）

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述浅槽隔离（STI）工艺的主要步骤及其与局部氧化隔离（LOCOS）的优势。

答案：STI工艺步骤：在硅片上淀积氮化硅层→光刻定义隔离区域→刻蚀形成浅槽→淀积氧化硅填充沟槽→化学机械抛光（CMP）平坦化→去除氮化硅。与LOCOS相比，STI的优势包括：隔离区域边缘无“鸟嘴”效应，减小面积占用；隔离效果更均匀，适合亚微米以下制程；可实现更浅的隔离深度，降低寄生电容。

2.解释MOSFET亚阈值导电现象及其对集成电路设计的影响。

答案：亚阈值导电指MOSFET栅压低于阈值电压（VgVth）时，漏源之间仍存在微弱电流（亚阈值电流）的现象。其产生原因是载流子通过扩散机制跨越源漏间的势垒。影响：亚阈值电流是低功耗电路（如物联网芯片）静态功耗的主要来源；限制了低电压下器件的开关性能；设计中需通过调整阈值电压（如采用体偏置技术）或选择不同阈值的MOSFET（LVT、SVT、HVT）来平衡功耗与速度。

3.比较FinFET与平面MOSFET在短沟道效应抑制上的差异。

答案：短沟道效应（SCE）指沟道长度缩短时，源漏结电场对栅控沟道势垒的调制增强，导致阈值电压随沟道长度减小而降低（DIBL效应）、亚阈值摆幅增大等问题。FinFET采用三维鳍式结构，栅极环绕鳍的两侧甚