第1章 常用半导体器件.pptVIP

1.当UDS=0时，uGS对导电沟道的控制作用ID=0GDSN型沟道P+P+(a)UGS=0UGS=0时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽UGS由零逐渐减小，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。当UGS=UGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断.ID=0GDSP+P+N型沟道(b)UGS(off)UGS0VGGID=0GDSP+P+(c)UGS＜UGS(off)VGGUGS(off)为夹断电压,为负值。UGS(off)也可用UP表示第126页，共180页，星期日，2025年，2月5日2.当uGS为UGS（Off)~0中一固定值时,uDS对漏极电流iD的影响。uGS=0，uGDUGS（Off)，iD较大。GDSP+NiSiDP+P+VDDVGGuGS0，uGDUGS（Off)，iD更小。GDSNiSiDP+P+VDD注意：当uDS0时，耗尽层呈现楔形。(a)(b)uGD＝uGS－uDS第127页，共180页，星期日，2025年，2月5日1.3.3晶体管的共射特性曲线uCE=0VuBE/ViB=f(uBE)?UCE=const(2)当uCE≥1V时，uCB=uCE-uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，在同样的uBE下IB减小，特性曲线右移。(1)当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。一.输入特性曲线uCE=0VuCE?1VuBE/V+-bce共射极放大电路UBBUCCuBEiCiB+-uCE第94页，共180页，星期日，2025年，2月5日二.输出特性曲线iC=f(uCE)?iB=const现以iB=60uA一条加以说明。（1）当uCE=0V时，因集电极无收集作用，iC=0。（2）uCE↑→Ic↑。（3）当uCE＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。同理，可作出iB=其他值的曲线。第95页，共180页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7V。此时发射结正偏，集电结也正偏。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。放大区——曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。该区中有：饱和区放大区截止区第96页，共180页，星期日，2025年，2月5日1.3.4晶体管的主要参数半导体三极管的参数分为三大类:直流参数交流参数极限参数一.直流参数①直流电流放大系数a.共基极直流电流放大系数=IC/IE=IB/?1+?IB=/?1+?第97页，共180页，星期日，2025年，2月5日三极管的直流参数在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC/IB，如下左图所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见下右图。b.共射极直流电流放大系数：=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB?vCE=const第98页，共180页，星期日，2025年，2月5日三极管的直流参数b.集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO和ICBO之间的关系：ICEO=（1+）ICBO相当于基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0时曲线所对应的Y坐标的数值,如图所示。②极间反向电流a.集电极基极间反向饱和电流ICBOICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相