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解析GaN基发光二极管效率弱化难题与转移电子器件的协同发展路径

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今快速发展的电子领域，氮化镓（GaN）凭借其宽带隙、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等卓越特性，成为了备受瞩目的半导体材料。基于GaN材料的发光二极管（LED）和转移电子器件展现出巨大的应用潜力，在多个领域发挥着关键作用。

GaN基LED作为一种新型的固态光源，具有众多优势。其发光效率高，能够以较低的能耗产生明亮的光线，这使得在照明领域，无论是室内照明还是室外景观照明，都能实现显著的节能效果。例如，在城市路灯照明中，采用GaN基LED路灯，相比传统的高压钠灯，可大幅降低能耗，减少能源浪费。同时，它的寿命长，大大减少了灯具更换的频率，降低了维护成本，在一些难以频繁维护的场所，如高空照明设施、深海照明设备等，其长寿命的优势尤为突出。而且，GaN基LED响应速度快，能够快速实现亮灭切换，这一特性使其在显示领域表现出色，可实现高刷新率的图像显示，为用户带来更流畅的视觉体验，在高端显示器、投影仪等设备中得到广泛应用。此外，其体积小、环保无污染等特点，也使其在可穿戴设备、移动电子设备以及对环保要求较高的应用场景中具有独特的优势。

转移电子器件则在高频、高功率应用中发挥着不可或缺的作用。在通信领域，随着5G乃至未来6G通信技术的发展，对高频、高速通信器件的需求日益增长。转移电子器件能够在毫米波频段实现高效的信号处理和传输，满足5G基站和终端设备对高频率、大容量数据传输的要求，确保通信的快速、稳定和可靠。在雷达系统中，它能够提高雷达的探测精度和作用距离，对于军事防御和民用航空、航海等领域的导航和监测至关重要。在卫星通信中，转移电子器件的高功率特性可保证卫星与地面站之间的稳定通信，实现全球范围内的信息传递。

然而，GaN基LED在发展过程中面临着效率弱化问题的挑战。随着注入电流的增加，其发光效率会出现明显的下降，即所谓的“效率droop”现象。这一问题严重限制了GaN基LED在大功率、高亮度应用场景中的进一步发展，如汽车大灯、高亮度投影仪等领域，需要更高的发光效率来满足实际需求。同时，转移电子器件在性能提升和应用拓展方面也存在一定的瓶颈，如在提高器件的工作频率和功率密度的同时，如何降低器件的功耗和热管理难度，成为了亟待解决的问题。

对GaN基LED效率弱化问题与转移电子器件的研究具有重要的现实意义。深入探究GaN基LED效率弱化的内在机制，有助于开发针对性的解决方案，提高其发光效率和稳定性，从而推动LED照明和显示技术的进一步发展，满足人们对高效、节能、优质光源和显示设备的需求。加强对转移电子器件的研究，能够突破其性能瓶颈，拓展其在高频、高功率领域的应用范围，为5G通信、雷达、卫星通信等关键领域的技术升级提供有力支持，提升国家在信息通信和国防安全等方面的竞争力。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队和学者围绕GaN基LED效率弱化问题展开了广泛而深入的研究。在理论研究方面，对效率弱化的物理机制提出了多种解释。俄歇复合理论认为，当载流子浓度较高时，电子和空穴复合过程中会将能量转移给另一个载流子，从而导致非辐射复合增加，发光效率降低。极化效应理论指出，GaN材料中的自发极化和压电极化会使能带弯曲，影响载流子的注入和复合，进而导致效率下降。位错密度也被认为是影响因素之一，高位错密度可能提供非辐射复合中心，降低发光效率。大的空穴质量和低注入效率导致空穴在量子阱中的分布不均匀，也会对发光效率产生负面影响。

在实验研究方面，国内外学者采取了多种措施来改善GaN基LED的效率弱化问题。一些研究通过优化外延生长工艺，如改进金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术的生长参数，来提高材料的质量，减少晶体缺陷，从而降低非辐射复合，提高发光效率。采用新型的有源区结构也是一种重要的研究方向，例如，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所刘建平团队设计的多量子阱（MQWs）有源区结构，使用InGaN材料代替传统的GaN材料作为量子垒（QB），且InGaN量子垒中的In摩尔组分呈阶梯式变化，有效降低了空穴在有源区扩散的势垒，使空穴分布更均匀，在200A/cm2的电流密度下，外量子效率下降百分比仅有3.3%，相比传统结构有了显著改善。此外，在芯片结构设计上，通过图形化衬底、添加分布式布拉格反射镜（DBR）等方式，提高光提取效率，减少光在芯片内部的吸收和散射，也在一定程度上缓解了效率弱化问题。

在转移电子器件研究方面，国内外在材料生长和器件制备技术上取得了一系列进展。在材料生长方面，不断探索新的生长方法和工艺条件，以获得高质量的GaN材料。分子束外延（