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目录CATALOGUE02.核心电子元件04.数字电子技术05.电工实用技术01.03.典型电路分析06.测量与工具基础电学理论

基础电学理论01PART

电路基本概念电流与电压的本质电路组成与分类电阻与导体的特性电流是电荷的定向移动形成的物理现象，其大小用安培（A）表示；电压是电势差的表现形式，反映电场力对电荷做功的能力，单位是伏特（V）。两者共同构成电路的能量传输基础。电阻是导体对电流的阻碍作用，与材料、长度、横截面积及温度相关，欧姆定律（R=U/I）是分析线性电阻的核心工具；导体（如铜、铝）因自由电子多而电阻率低，绝缘体（如橡胶、陶瓷）则相反。电路由电源、负载、导线和控制元件构成，分为串联（电流唯一路径）、并联（电压相同）和混联电路，需掌握其等效电阻计算及功率分配规律。

电子运动原理在金属中，自由电子在外电场作用下形成电流；半导体中电子跃迁后留下的空穴等效为正电荷载流子，二者共同参与导电（如N型/P型半导体）。自由电子与空穴理论能带理论与导电性载流子迁移率价带（满带）与导带（空带）之间的禁带宽度决定材料性质——导体禁带宽度为零，半导体较窄（如硅1.1eV），绝缘体禁带宽度大（如钻石5.5eV）。电子在电场中的平均漂移速度与电场强度之比，受材料晶格散射和杂质影响，是衡量半导体性能的关键参数（如硅电子迁移率约1500cm2/V·s）。

线性电路中电压（U）、电流（I）与电阻（R）的关系（U=IR），适用于金属导体和稳态直流电路，是电路分析的基石。非线性元件（如二极管）需结合伏安特性曲线分析。电学三大定律欧姆定律任一节点电流代数和为零，体现电荷守恒，适用于复杂电路节点分析，需注意电流参考方向的设定与计算一致性。基尔霍夫电流定律（KCL）闭合回路中电压降代数和为零，反映能量守恒，常用于网孔分析法，需结合电源极性及元件压降正负判断规则。基尔霍夫电压定律（KVL）

核心电子元件02PART

电阻与电容特性电阻的欧姆定律特性电阻是阻碍电流流动的被动元件，其阻值遵循欧姆定律（V=IR），在直流电路中表现为线性关系，但在高频或大功率条件下需考虑温度系数和频率特性对阻值的影响。电容的储能与滤波功能电容通过两极板间的介质存储电荷，具有隔直通交特性，广泛应用于电源滤波（如电解电容）、信号耦合（如陶瓷电容）及定时电路（如薄膜电容），其容值受介质材料、极板面积和间距等因素影响。电阻的功率耗散与选型电阻在实际应用中需根据电路功率需求选择额定功率（如1/4W、1W等），避免过热损坏，同时需关注精度（±1%、±5%）和温度系数（ppm/℃）以满足电路稳定性要求。电容的等效串联电阻（ESR）高频应用中电容的ESR会引发能量损耗和发热，低ESR的钽电容或聚合物电容常用于开关电源输出端，而普通铝电解电容则适用于低频场景。

二极管工作原理PN结单向导电性二极管由P型与N型半导体结合形成PN结，正向偏置时载流子扩散形成导通电流（硅管约0.7V开启电压），反向偏置时仅有微小漏电流，直至击穿电压（如稳压二极管利用此特性）。整流与开关应用工频整流电路中，二极管将交流转为脉动直流（如1N4007用于50Hz整流）；高速开关二极管（如1N4148）利用纳秒级反向恢复时间，适用于数字电路信号整形。特殊二极管功能扩展肖特基二极管（如1N5819）利用金属-半导体结实现低压降（0.3V）和快速开关，适合高频整流；发光二极管（LED）通过电子-空穴复合释放光子，需串联限流电阻控制工作电流。温度敏感性与参数漂移二极管正向压降随温度升高而降低（约-2mV/℃），设计精密电路时需补偿温度影响，齐纳二极管的反向击穿电压亦具有温度系数（分正负两类）。

三极管放大机制三极管（BJT）通过基极微小电流（IB）控制集电极大电流（IC），共射极电路中β值（hFE）表征放大能力（典型值20-200），实际工作点由偏置电阻网络确定。电流放大原理放大区（发射结正偏、集电结反偏）实现线性放大；饱和区（双结正偏）用作开关导通；截止区（双结反偏）实现关断，数字电路利用后两种状态构建逻辑门。三种工作模式分析低频采用h参数模型，高频需考虑结电容（Cπ、Cμ）导致的密勒效应，特征频率fT标识晶体管增益带宽积，射频设计需选用高频管（如2N3904的fT=300MHz）。小信号模型与频率响应MOSFET通过栅极电压控制沟道导通（无输入电流），适用于高输入阻抗场合（如CMOS电路），其导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg是开关电源选型关键参数。场效应管对比优势

典型电路分析03PART

直流电路计算方法包括电流定律（KCL）和电压定律（KVL），是分析复杂直流电路的核心工具，通过节点电流方程和回路电压方程求解未知量。基尔霍夫定律用于简化线性有源二端网络，将复杂电路等效为电压源串联电阻（戴维