半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（3）.电迁移对半导体器件的影响.docx

PAGE1

PAGE1

电迁移对半导体器件的影响

在半导体器件的可靠性分析中，电迁移（Electromigration,EM）是一个重要的研究领域。电迁移是指在高电流密度下，金属互连中的原子在电场的作用下发生迁移的现象。这种迁移会导致互连线路的局部缺陷，从而影响器件的性能和寿命。本节将详细探讨电迁移的基本原理、影响因素以及对半导体器件的潜在影响。

电迁移的基本原理

电迁移是在高电流密度下，金属互连中的原子受到电场力的作用而发生迁移的现象。这种迁移会导致金属线内部的原子重新分布，形成空洞或原子堆积，进而影响互连的导电性能。电迁移的基本原理可以从以下几个方面进行阐述：

1.电场