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半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（4）.电迁移的测试方法.docx

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    电迁移的测试方法

    1.引言

    电迁移（Electromigration,EM）是半导体器件中金属互连层在高电流密度下由于电子风力（electronwindforce）导致金属原子迁移的现象。电迁移会导致金属互连层的断裂或短路，从而影响器件的可靠性和寿命。为了评估和预测半导体器件的电迁移效应，需要采用一系列的测试方法。本节将详细介绍电迁移的主要测试方法，包括双线测试、固化测试、热应力测试和加速寿命测试等。

    2.双线测试

    2.1原理

    双线测试（DualLineTest）是一种常用的方法，用于评估金属互连层的电迁移效应。该方法通过在两个平行的金属

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