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GaN基稀磁半导体：理论模拟与实验探究下的性能剖析与前景展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对电子器件性能的要求不断提高，自旋电子学应运而生，成为了当今凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。自旋电子学是一门利用电子的自旋属性来实现信息存储、处理和传输的学科，相较于传统的电子学，它具有非易失性、高速、低功耗等显著优势，在未来的信息技术发展中展现出巨大的潜力。

稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMSs）作为自旋电子学领域的关键材料，在实现自旋电子器件的功能方面起着不可或缺的作用。它是一类在半导体晶格中部分替代非磁性阳离子，掺入磁性过渡金属离子或稀土金属离子的半导体材料。这种独特的结构赋予了稀磁半导体半导体和磁性材料的双重特性，使其在没有外磁场时表现出普通半导体的性质，而在外磁场作用下则展现出一定的磁性。在稀磁半导体中，磁离子与载流子之间存在着强烈的相互作用，这使得它能够实现自旋的注入、输运和调控，为制造新型自旋电子器件提供了可能，如自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、磁随机存取存储器等。这些器件有望大幅提升信息处理的速度和效率，降低能耗，推动信息技术向更高性能、更低功耗的方向发展。

然而，目前稀磁半导体的研究仍面临着一些关键问题，严重制约了其在实际中的应用。其中，最主要的问题是居里温度较低以及磁性掺杂元素的固溶度有限。居里温度是衡量材料磁性稳定性的重要指标，只有当居里温度高于室温时，材料才能在常温环境下保持稳定的磁性，从而满足实际应用的需求。然而，大多数已研究的稀磁半导体的居里温度远远低于室温，这使得它们在常温下失去磁性，无法发挥其在自旋电子学中的优势。此外，磁性掺杂元素在半导体中的固溶度较低，导致难以获得高浓度的磁性掺杂，进而影响材料的磁性和相关性能。这些问题成为了稀磁半导体走向实际应用的瓶颈，亟待解决。

GaN基稀磁半导体作为稀磁半导体领域的重要研究方向，近年来受到了广泛关注。GaN是一种宽带隙半导体，具有优异的物理性质，如高击穿电场、高热导率、高电子迁移率等，在光电子器件和高频、高温、高功率电子器件等领域已得到广泛应用。将磁性元素掺入GaN中形成的GaN基稀磁半导体，不仅继承了GaN的优良特性，还引入了磁性，有望实现磁、电、光等多种功能的集成，为自旋电子学器件的发展开辟新的道路。2000年，Dietl和他的合作者基于Zener模型从理论上预测GaN基的稀磁半导体的居里温度Tc可以达到室温以上，这一理论预测极大地激发了人们对GaN基稀磁半导体材料的研究热情。

研究GaN基稀磁半导体具有重要的理论意义和实际应用价值。从理论角度来看，深入研究GaN基稀磁半导体中磁性离子与半导体基质之间的相互作用机制，以及磁性与光电性质之间的耦合关系，有助于丰富和完善半导体物理和磁学的理论体系，为理解复杂材料体系中的物理现象提供新的视角和方法。通过理论计算和实验研究相结合，可以揭示材料的微观结构与宏观性能之间的内在联系，为新型材料的设计和开发提供理论指导。

从实际应用角度来看，GaN基稀磁半导体在自旋电子学器件领域具有广阔的应用前景。若能成功提高其居里温度并解决磁性掺杂元素固溶度问题，有望实现室温下稳定的铁磁性，从而为制造高性能的自旋电子器件奠定基础。这些器件可应用于计算机存储领域，大幅提高存储密度和读写速度，降低能耗；在通信领域，可用于制造高速、低功耗的光通信器件，提升通信效率和质量；在传感器领域，基于GaN基稀磁半导体的磁传感器和磁光传感器将具有更高的灵敏度和响应速度，可广泛应用于生物医学检测、环境监测、导航等多个领域，推动相关领域的技术进步和发展。

1.2GaN基稀磁半导体概述

GaN基稀磁半导体是指在GaN半导体的晶格结构中，部分镓（Ga）原子被稀磁元素（如铁Fe、钴Co、镍Ni、锰Mn等过渡金属元素，或钆Gd、铕Eu等稀土金属元素）所替代而形成的一类新型半导体材料。这种材料的基本特性源于其独特的晶体结构和电子结构。GaN本身具有六方纤锌矿结构，这种结构赋予了它一些优异的物理性质，如宽禁带宽度（约为3.4eV）、高击穿电场、高热导率等。当稀磁元素掺入后，它们会占据GaN晶格中的特定位置，与周围的原子形成新的化学键和电子云分布，从而改变材料的整体性能。

在GaN基稀磁半导体中，稀磁元素的磁性与半导体的光电性质之间存在着强烈的相互作用。这种相互作用主要源于磁性离子的未成对电子与半导体中的载流子（电子和空穴）之间的交换作用，即所谓的sp-d交换作用。在这种作用下，磁性离子的磁矩可以影响载流子的自旋取向，而载流子的运动也会对磁性离子的磁有序状态产生影响。当存在外加磁场时，磁性离