石墨烯表面处理及在硅 - 硅低温键合中的应用与机理探究.docxVIP

石墨烯表面处理及在硅-硅低温键合中的应用与机理探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体芯片的集成度不断提高，传统的二维封装技术面临着诸多挑战，如信号传输延迟、散热困难以及有限的集成密度等问题，已难以满足现代电子设备对高性能、小型化和多功能化的需求。在此背景下，三维封装技术应运而生，成为了半导体封装领域的研究热点和发展方向。三维封装技术通过将多个芯片或芯片与其他器件在垂直方向上进行堆叠和互连，显著提高了芯片的集成度和性能，有效缩短了信号传输路径，降低了信号延迟，同时也提升了散热效率。这种技术在移动设备、人工智能、物联网、高性能计算等众多领域展现出了巨大的应用潜力，例如在智能手机中，三维封装技术能够实现更强大的计算能力和更轻薄的设计；在数据中心的服务器处理器中，可提高计算性能和能效，推动整个电子产业向更高性能、更小尺寸的方向发展。

在三维封装技术中，键合工艺是实现多层芯片堆叠和垂直互连的核心技术，其性能直接影响着三维封装器件的可靠性和整体性能。目前，常用的三维封装键合方法包括cu-cu热压键合、表面活化键合（SAB）、自组装单层键合（SAM）、ti作钝化层的cu-cu键合等。然而，这些传统键合方法各自存在一定的局限性。cu-cu热压键合虽然具有机械强度高、导电和导热性能好等优点，但其键合温度高（350℃～400℃）、键合压力大，这不仅会对封装中的敏感元件和结构的性能产生不利影响，还会增加整个封装体的热应力，降低产品的可靠性；表面活化键合虽然可以在室温下实现较强的键合强度，避免高温对器件的损伤，但其工艺复杂，需要使用高速离子束物理轰击晶圆表面，设备成本较高；自组装单层键合能够在250℃的低温下实现cu-cu热压键合，键合强度较好，但工艺的部分条件，如链长选择等，仍需要进一步优化，研究表明烷烃硫醇的链长越长，防氧化作用越明显，但完全去除烷烃硫醇的退火温度也会随之增加；ti作钝化层的cu-cu键合则需要在si衬底上溅射cu层和ti层，工艺相对复杂。此外，半导体芯片封装中常用的金属电连接材料，存在工艺复杂、成本高的问题，对用于电互连的金属材料要求其电阻率低、能与元件电极形成良好低欧姆接触、与二氧化硅层粘附性好且便于淀积和光刻加工形成布线等，而金属淀积工艺如蒸发、溅射和化学淀积等都较为复杂。

石墨烯，作为一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，具有优异的光学、电学、力学特性。其电子迁移率高，理论值可达2×10?cm2/（V?s），在室温下也能达到15000cm2/（V?s），这使得石墨烯在电学应用中表现出色；石墨烯的杨氏模量高达1TPa，断裂强度为130GPa，具有出色的机械性能；同时，它还具有良好的热导率，室温下可达5000W/（m?K），以及在可见光范围内高达97.7%的透光率。这些独特的性能使得石墨烯在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等诸多领域展现出重要的应用前景，被视为一种具有革命性的未来材料。在半导体封装领域，若能以石墨烯作为电连接材料实现芯片键合，将有望克服传统键合方法和金属电连接材料的不足。例如，利用石墨烯的高导电性和良好的机械性能，可以实现更高效的电连接和更强的键合强度；其优异的热导率有助于解决散热问题；而且石墨烯的二维结构使其在纳米尺度上的加工和应用具有独特优势，为实现低温、高性能的键合提供了可能。

本研究聚焦于石墨烯表面处理及基于石墨烯浆料的硅-硅低温键合，具有重要的理论意义和实际应用价值。从理论层面来看，深入研究石墨烯与硅基衬底之间的相互作用机制、石墨烯浆料在低温键合过程中的行为以及表面处理对石墨烯性能和键合效果的影响，有助于丰富和完善半导体封装领域的键合理论，为新型键合技术的开发提供理论支撑。在实际应用方面，基于石墨烯浆料的硅-硅低温键合技术若能成功实现并优化，将为半导体三维封装提供一种新的、更具优势的解决方案。它可以降低键合温度和压力，减少对敏感元件和结构的影响，提高封装体的可靠性；同时，简化键合工艺，降低成本，有望推动半导体封装技术的进一步发展，满足电子设备不断提升的性能需求，促进相关产业的技术升级和创新发展。

1.2国内外研究现状

在石墨烯表面处理方面，国内外学者开展了大量研究。石墨烯的表面性质对其在复合材料、纳米涂层和电气纳米器件等实际应用中起着关键作用。国外研究中，一些团队通过化学修饰的方法，如氧化石墨烯的还原过程中引入特定官能团，来调控石墨烯的表面性质，以改善其与其他材料的相容性。例如，美国的科研人员利用共价键修饰的方式，在石墨烯表面引入羧基等官能团，使石墨烯能够更好地分散在聚合物基体中，增强了复合材料的力学性能和电学性能。在国内，也有众多研究致力于石墨烯表面处