半导体物理基础：半导体器件仿真基础_（1）.半导体基础知识.docxVIP

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半导体基础知识

半导体材料的能带结构

1.1能带理论概述

能带理论是固体物理学中的一个重要概念，用于解释固体材料中的电子行为。在半导体中，能带理论可以清晰地描述电子的能量状态和运动特性。能带理论基于量子力学，将固体材料中的电子视为一个周期性势场中的粒子，通过求解薛定谔方程得到电子的能量状态。

能带理论的核心是能态密度（DensityofStates,DOS）和能带结构（BandStructure）。能态密度描述了在给定能量范围内可供电子占据的状态数，而能带结构则描述了电子能量随波矢的变化关系。

1.2能带结构的类型

半导体材料的能带结构通常分为三个主要部分：-价带（ValenceBand,VB）：这是电子在最外层轨道上占据的最高能带。-导带（ConductionBand,CB）：这是电子可以自由移动的最低能带。-禁带（BandGap,Eg）

禁带的宽度决定了半导体的导电性。禁带宽度较大的材料称为绝缘体，禁带宽度较小的材料称为半导体，禁带宽度接近零的材料称为金属。

1.3能带结构的计算方法

能带结构的计算方法主要有两种：-第一性原理计算：基于密度泛函理论（DensityFunctionalTheory,DFT）的计算方法，可以精确地求解电子的能带结构。-紧束缚模型（Tight-BindingModel）：这是一种近似的计算方法，适用于处理较大的系统。

1.3.1第一性原理计算

第一性原理计算是一种基于量子力学的方法，通过求解薛定谔方程来计算电子的能带结构。这种方法的优点是精度高，但计算量较大。

步骤：1.定义周期性势场：半导体材料的原子排列是周期性的，因此需要定义一个周期性势场。2.求解薛定谔方程：在周期性势场中求解薛定谔方程，得到电子的能量本征值和波函数。3.计算能带结构：通过能量本征值绘制能带图，显示电子能量随波矢的变化关系。

代码示例：使用Python和VASP（ViennaAbinitioSimulationPackage）进行第一性原理计算。

#导入必要的库

frompymatgen.io.vasp.inputsimportIncar,Kpoints,Poscar,Potcar

frompymatgen.io.vasp.setsimportMPRelaxSet

frompymatgen.core.structureimportStructure

frompymatgen.ext.matprojimportMPRester

#1.从MaterialsProject下载结构数据

withMPRester(YOUR_API_KEY)asm:

structure=m.get_structure_by_material_id(mp-149)#以Si为例

#2.设置VASP输入文件

incar=Incar.from_file(INCAR)

kpoints=Kpoints.from_file(KPOINTS)

poscar=Poscar(structure)

potcar=Potcar.from_file(POTCAR)

#3.创建VASP计算任务

vasp_input_set=MPRelaxSet(structure,user_incar_settings=incar.as_dict())

#4.写入输入文件

vasp_input_set.write_input(Si_band_structure)

#5.运行VASP计算（假设已经安装VASP并配置好环境）

#在终端运行：vasp_stdvasp.out

1.4紧束缚模型

紧束缚模型是一种近似的计算方法，适用于处理较大的系统。该模型假定每个原子的电子态主要受到其原子轨道的影响，其他原子轨道的影响较小。

步骤：1.定义原子轨道：选择合适的原子轨道作为基态。2.构造哈密顿矩阵：根据原子轨道之间的相互作用构造哈密顿矩阵。3.求解哈密顿矩阵：通过求解哈密顿矩阵的本征值和本征矢量，得到电子的能带结构。

代码示例：使用Python和NumPy进行紧束缚模型计算。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#1.定义原子轨道

#以一维周期性链为例，每个原子有两个轨道

n_atoms=50

n_orbitals=2

t=1.0#跃迁积分

#2.构造哈密顿矩阵

H=np.zeros((n_atoms*n_orbitals,n_atoms*n_orbit