半导体物理基础：载流子输运理论_（11）.载流子输运的微观理论.docxVIP

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载流子输运的微观理论

在上一节中，我们讨论了半导体材料的基本特性，包括能带结构、载流子浓度和费米能级等概念。在这一节中，我们将深入探讨载流子在半导体中的输运过程，这是理解半导体器件工作原理的关键。我们将从微观层面出发，讨论载流子的散射机制、迁移率和电导率，以及如何通过这些参数来描述载流子的输运行为。

1.载流子散射机制

1.1散射类型

在半导体中，载流子（电子和空穴）的输运过程受到多种散射机制的影响。这些散射机制可以分为以下几类：

晶格散射：载流子与晶格振动（声子）的相互作用。

杂质散射：载流子与半导体材料中的杂质原子的相互作用。

载流子-载流子散射：电子与空穴之间的相互作用。

界面散射：载流子在半导体与绝缘体或其他半导体材料的界面上的散射。

1.2晶格散射

晶格散射是由于晶格中的声子（晶格振动的量子化形式）与载流子的相互作用引起的。声子可以分为光学声子和声学声子。声学声子的频率较低，主要影响低能载流子的输运；光学声子的频率较高，主要影响高能载流子的输运。

1.2.1声学声子散射

声学声子散射可以通过以下公式描述：

τ

其中，τph是声学声子散射的弛豫时间，νph是声子散射率。声子散射率与温度T和载流子能量

ν

1.2.2光学声子散射

光学声子散射的弛豫时间可以表示为：

τ

其中，τop是光学声子散射的弛豫时间，νop是光学声子散射率。光学声子散射率与温度T和载流子能量

ν

其中，?ωop是光学声子的能量，

1.3杂质散射

杂质散射是由于半导体材料中的杂质原子引起的。杂质原子可以是施主杂质或受主杂质，它们会形成局域势场，从而影响载流子的输运。杂质散射的弛豫时间可以表示为：

τ

其中，τimp是杂质散射的弛豫时间，νimp是杂质散射率。杂质散射率与杂质浓度Nimp和载流子能量

ν

1.4载流子-载流子散射

载流子-载流子散射是由于电子和空穴之间的库仑相互作用引起的。这种散射在高载流子浓度或高电流密度的情况下尤为显著。载流子-载流子散射的弛豫时间可以表示为：

τ

其中，τcc是载流子-载流子散射的弛豫时间，νcc是载流子-载流子散射率。载流子-载流子散射率与载流子浓度n和温度

ν

1.5界面散射

界面散射是载流子在半导体与绝缘体或其他半导体材料的界面上的散射。这种散射在纳米尺度的半导体器件中尤为重要。界面散射的弛豫时间可以表示为：

τ

其中，τint是界面散射的弛豫时间，ν

2.迁移率和电导率

2.1迁移率

迁移率μ是描述载流子在电场作用下运动速度的物理量。迁移率与弛豫时间τ和有效质量m*

μ

其中，e是电子电荷，m*是载流子的有效质量。弛豫时间τ

2.1.1电子迁移率

对于电子，迁移率μn

μ

其中，τph、τimp、τcc和τ

2.1.2空穴迁移率

对于空穴，迁移率μp

μ

其中，mp

2.2电导率

电导率σ是描述材料导电能力的物理量，与载流子浓度n和迁移率μ有关。对于电子和空穴，电导率可以分别表示为：

σ

σ

其中，n是电子浓度，p是空穴浓度。总电导率σ为电子和空穴电导率的和：

σ

3.载流子输运的微观方程

3.1博尔兹曼输运方程

博尔兹曼输运方程（BTE）是描述载流子输运过程的基本方程。它考虑了载流子的分布函数fr,k

?

其中，v是载流子的速度，E是电场，k是波矢，If

3.2碰撞积分

碰撞积分If

I

其中，fscattering是散射后载流子的分布函数。不同的散射机制有不同的f

晶格散射：f

杂质散射：f

载流子-载流子散射：f

界面散射：f

3.3解析方法

解析方法通常用于简化情况下求解BTE，例如在均匀半导体中。在这种情况下，BTE可以简化为：

?

其中，feq是平衡分布函数，τ

3.3.1例：解析求解迁移率

假设在均匀半导体中，电场E为常数，弛豫时间为τ，则BTE可以简化为：

e

平衡分布函数feq

f

通过解上述方程，可以得到载流子的分布函数f，进而计算迁移率μ。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#参数设置

e=1.602e-19#电子电荷

hbar=1.054e-34#约化普朗克常数

k_B=1.381e-23#玻尔兹曼常数

T=300#温度（K）

E_F=0#费米能级

E=np.linspace(-0.5,0.5,1000)#载流子能量范围

E_field=1e4#电场强度（V/m）

tau=1e-12#弛豫时间（s）

m_star=1e-31#有效质量（kg）

#费米-狄拉克分布函数

defferm