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2.半导体能带理论

2.1能带的起源

能带理论是固体物理学中一个重要的概念，它解释了固体材料中电子的能量状态分布。在半导体材料中，能带理论尤为重要，因为它直接关系到材料的电导特性、光学性质以及热电效应等。能带理论的起源可以追溯到量子力学的基本原理，特别是薛定谔方程在周期性势场中的解。

2.1.1原子能级与分子能级

在讨论能带之前，我们先回顾一下单个原子的能级。原子中的电子处于离散的能量状态，这些状态称为能级。每个能级对应一个特定的能量值，电子在这些能级之间跃迁时会吸收或释放能量。例如，氢原子的能级可以通过求解薛定谔方程得到：

E

其中n是主量子数，表示电子所在的壳层。

当多个原子结合形成分子时，原子能级会相互作用，形成新的、稍微不同的能级。这些能级之间的能量差通常很小，但在分子中电子的跃迁仍然需要吸收或释放能量。例如，两个氢原子结合形成氢分子时，能级会发生微小的变化。

2.1.2周期性势场与能带

固体材料是由大量原子有序排列形成的晶体结构。在晶体中，原子之间的相互作用形成了周期性的势场。薛定谔方程在这种周期性势场中的解将产生一系列准连续的能量状态，这些状态形成了能带。

周期性势场可以用布洛赫定理来描述。布洛赫定理指出，晶体中的电子波函数可以表示为：

ψ

其中k是波矢，ur

2.1.3能带结构图

能带结构图是描述固体材料中电子能量状态的重要工具。在能带结构图中，横轴通常表示波矢k的大小，纵轴表示能量E。每个能带表示一系列可能的能量状态，电子可以在这些能带中自由移动。

例如，硅（Si）的能带结构图如下所示：

importmatplotlib.pyplotasplt

importnumpyasnp

#定义波矢范围

k_points=np.linspace(0,2*np.pi/0.543,100)#硅的晶格常数为0.543nm

#定义能带

defconduction_band(k):

return4.05-2*(1-np.cos(k*0.543))

defvalence_band(k):

return-4.05-2*(1-np.cos(k*0.543))

#绘制能带结构图

plt.figure(figsize=(10,6))

plt.plot(k_points,conduction_band(k_points),label=导带)

plt.plot(k_points,valence_band(k_points),label=价带)

plt.xlabel(波矢k(1/nm))

plt.ylabel(能量E(eV))

plt.title(硅的能带结构图)

plt.legend()

plt.grid(True)

plt.show()

2.1.4能带与能隙

在能带结构图中，电子的能量状态分为导带和价带。导带是能量较高的能带，价带是能量较低的能带。导带和价带之间的能量差称为能隙（bandgap）。能隙的大小决定了材料的导电特性。

直接能隙：电子从价带跃迁到导带时，不需要改变动量。例如，砷化镓（GaAs）是一种具有直接能隙的材料。

间接能隙：电子从价带跃迁到导带时，需要改变动量。例如，硅（Si）是一种具有间接能隙的材料。

2.2能带理论的基本假设

能带理论基于几个基本假设，这些假设使得理论模型简化，但仍然能够很好地解释半导体材料的行为。

2.2.1周期性势场

假设固体材料中的原子排列是周期性的，这意味着势场Vr

V

其中R是晶格矢量。

2.2.2布洛赫定理

布洛赫定理是能带理论的基础，它指出晶体中的电子波函数可以表示为：

ψ

其中k是波矢，ur

2.2.3能带的性质

能带具有以下性质：

连续性：在一定范围内，能带中的能量状态是连续的。

周期性：能带的能量随波矢k周期性变化。

对称性：能带结构图通常具有对称性，特别是在高对称点（如Γ点）附近。

2.3能带的计算方法

能带的计算方法多种多样，常见的方法包括紧束缚近似（Tight-BindingApproximation）、平面波展开（PlaneWaveExpansion）和密度泛函理论（DensityFunctionalTheory,DFT）。

2.3.1紧束缚近似

紧束缚近似是一种简单而有效的能带计算方法。它假设每个原子的电子波函数主要局限于其所在的原子附近，其他原子的贡献较小。通过将单个原子的波函数线性组合，可以得到晶体中的电子波函数。

2.3.1.1紧束缚近似的数学表达

紧束缚近似的基本思想是将晶体中的电子波函数表示为单个原子轨道的线性组合：

ψ

其中?ir