半导体物理基础：半导体能带理论_1.半导体的基本概念与性质.docxVIP

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1.半导体的基本概念与性质

1.1半导体的定义

半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。在常温下，半导体的导电能力相对较弱，但通过掺杂、光照、温度变化等手段，其导电能力可以显著提高。半导体材料的导电性能主要取决于其能带结构，这将在后续章节中详细讨论。

1.2半导体的能带结构

能带结构是描述固体材料中电子能量状态分布的重要概念。在半导体中，电子的能量状态可以分为三个主要的能带：价带、导带和禁带。

价带（ValenceBand）：价带是固体材料中电子在正常条件下占据的最高能带。在半导体中，价带通常被电子完全填充，因此电子不能在价带内自由移动。

导带（ConductionBand）：导带是价带之上的能带，是电子可以自由移动的能带。在半导体中，导带通常是空的，但可以通过一定的能量激发使价带中的电子跃迁到导带，从而产生自由电子。

禁带（BandGap）：禁带是价带和导带之间的能量区域，电子不能占据。禁带的宽度决定了半导体的导电性能。禁带宽度较窄的半导体（如硅、锗）在室温下容易导电，禁带宽度较宽的半导体（如金刚石）则难以导电。

1.3半导体的分类

根据能带结构和导电性能，半导体可以分为两大类：本征半导体和非本征半导体。

本征半导体（IntrinsicSemiconductor）：本征半导体是纯净的半导体材料，不含任何杂质。在室温下，本征半导体的导电能力较弱，但可以通过提高温度或光照等方式增加导电性。例如，纯净的硅和锗就是典型的本征半导体。

非本征半导体（ExtrinsicSemiconductor）：非本征半导体是通过掺杂（即在半导体中引入杂质原子）来改变其导电性能的材料。根据掺杂类型的不同，非本征半导体可以分为n型半导体和p型半导体。

n型半导体：通过掺入五价元素（如磷、砷）来增加自由电子的浓度，从而提高导电性。五价元素的一个电子会成为自由电子，而其原子则成为带正电的施主杂质。

p型半导体：通过掺入三价元素（如硼、铝）来增加空穴的浓度，从而提高导电性。三价元素会形成带负电的受主杂质，而其原子的一个价电子空位则成为空穴。

1.4半导体的导电机制

半导体的导电机制主要通过自由电子和空穴的运动来实现。在本征半导体中，电子从价带跃迁到导带形成自由电子，同时在价带中留下一个空穴。自由电子和空穴都可以参与导电过程。

自由电子导电：自由电子在导带中运动，形成电流。

空穴导电：价带中的空穴可以通过电子的跃迁来移动，从而形成电流。

1.5半导体的温度依赖性

半导体的导电性能与其温度密切相关。随着温度的升高，价带中的电子更容易获得足够的能量跃迁到导带，从而增加自由电子和空穴的浓度，提高导电性能。这一现象可以通过以下公式描述：

n

其中：-n是自由电子的浓度。-Nc是导带中的有效状态密度。-Eg是禁带宽度。-k是玻尔兹曼常数。-T

1.6半导体的掺杂效应

掺杂是通过在半导体材料中引入少量的杂质原子来改变其导电性能的过程。掺杂可以通过以下两种方式进行：

n型掺杂：掺入五价元素（如磷、砷）。

p型掺杂：掺入三价元素（如硼、铝）。

掺杂效应可以通过以下公式描述：

n

p

其中：-n是自由电子的浓度。-p是空穴的浓度。-Nd是施主杂质的浓度。-Na

1.7载流子浓度的计算

在半导体中，载流子浓度（即自由电子和空穴的浓度）的计算是理解其导电性能的关键。对于本征半导体，载流子浓度可以通过以下公式计算：

n

其中：-ni是本征载流子浓度。-n0是自由电子的浓度。-p

对于非本征半导体，载流子浓度可以通过以下公式计算：

n

p

1.8例子：计算掺杂硅的载流子浓度

假设我们有一块硅半导体，掺入了1016cm??3的磷杂质（五价元素）和1015

确定施主和受主杂质的浓度：

施主杂质Nd=10

受主杂质Na=10

计算自由电子的浓度n：

n

cm?

计算空穴的浓度p：

p

其中，硅在室温下的本征载流子浓度ni≈1.5×

p

cm?

验证计算结果：

自由电子浓度n=9×

空穴浓度p=2.5×

由于自由电子浓度远大于空穴浓度，这块硅半导体主要通过自由电子导电，属于n型半导体。

1.9代码示例：计算掺杂硅的载流子浓度

以下是一个Python代码示例，用于计算掺杂硅的载流子浓度：

#导入必要的库

importmath

#定义常量

n_i=1.5e10#硅在室温下的本征载流子浓度(cm^-3)

N_d=1e16#施主杂质浓度(cm^-3)

N_a=1e15#受主杂质浓度(cm^-3)

#计算自由电子的浓度

n=N_d-N_a

#计算空穴的浓度

p=(n_i