半导体物理基础：半导体能带理论_15.半导体的光吸收与发射.docxVIP

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15.半导体的光吸收与发射

在半导体物理中，光吸收与发射是两个非常重要的过程，它们不仅决定了半导体材料的光学性质，还在光电子器件的设计和制造中起着关键作用。本节将详细探讨半导体中的光吸收与发射机制，包括基本原理、能带结构的影响、以及相关的量子力学和热力学概念。

15.1光吸收的基本原理

15.1.1光子与电子的相互作用

当光子（光的能量量子）入射到半导体材料上时，如果光子的能量大于或等于半导体的带隙能量，光子会被材料吸收，将电子从价带激发到导带。这个过程可以表示为：

h

其中，hν是光子的能量，Ev是价带的能量，Ec是导带的能量，Ek是电子的动能。光子的能量hν由光的频率ν

15.1.2吸收系数与光吸收

吸收系数α描述了光在半导体材料中的衰减程度，它与光子能量和材料的带隙能量有关。吸收系数可以通过以下公式计算：

α

其中，E是光子能量，Eg

15.1.3本征吸收与杂质吸收

本征吸收：当光子能量大于或等于半导体的带隙能量时，电子从价带被激发到导带，这个过程称为本征吸收。本征吸收是半导体材料固有的光学性质。

杂质吸收：半导体材料中可能含有杂质，这些杂质会在能带结构中引入能级。当光子能量与这些能级的能量差相匹配时，杂质吸收也会发生。杂质吸收通常在较低的光子能量下更为显著。

15.1.4光吸收的实验测量

光吸收可以通过多种实验方法测量，如光谱吸收法、光电子能谱法等。光谱吸收法是最常用的方法之一，通过测量不同波长的光在材料中的透过率或反射率，可以得到吸收系数与光子能量的关系曲线。

15.1.5光吸收的量子力学描述

光吸收过程可以用量子力学中的费米金兹堡方程（Fermi’sGoldenRule）来描述，该方程给出了从初态到末态的跃迁概率。对于半导体中的光吸收，初态是价带中的电子，末态是导带中的电子。

W

其中，Wi→f是跃迁概率，?是约化普朗克常数，Mi→f是跃迁矩阵元，

15.2光发射的基本原理

15.2.1光发射的过程

光发射是指电子从高能级跃迁到低能级时，释放出能量以光子的形式发射出来。这个过程可以表示为：

E

其中，Ec是导带的能量，Ev是价带的能量，h

15.2.2发射光谱与带隙能量

半导体的发射光谱与带隙能量密切相关。对于直接带隙半导体，电子从导带跃迁到价带时，可以直接释放光子，因此发射光谱通常比较窄且强度较高。而对于间接带隙半导体，电子跃迁需要额外的动量转移，通常通过声子参与，因此发射光谱较宽且强度较低。

15.2.3受激发射与自发发射

自发发射：电子自发地从高能级跃迁到低能级，释放出光子。自发发射的光子是随机的，没有特定的方向和相位。

受激发射：在外部光子的激发下，电子从高能级跃迁到低能级，释放出与外部光子相同频率、相位和方向的光子。受激发射是激光器工作的基础。

15.2.4光发射的量子力学描述

光发射过程也可以用费米金兹堡方程来描述，只不过方向相反，从导带跃迁到价带。

W

其中，Wf→i是跃迁概率，Mf→

15.3半导体中的光吸收与发射的能带结构影响

15.3.1直接带隙与间接带隙半导体

直接带隙半导体：价带顶和导带底在同一个k点，电子从价带跃迁到导带时，可以直接释放光子。常见的直接带隙半导体有GaAs、InP等。

间接带隙半导体：价带顶和导带底不在同一个k点，电子从价带跃迁到导带时，需要通过声子参与来转移动量。常见的间接带隙半导体有Si、Ge等。

15.3.2能带结构对光吸收的影响

能带结构决定了半导体材料的光吸收特性。直接带隙半导体的光吸收系数较高，吸收光谱较窄，适合用于光检测器和太阳能电池。间接带隙半导体的光吸收系数较低，吸收光谱较宽，适合用于电子器件。

15.3.3能带结构对光发射的影响

能带结构同样影响半导体的光发射特性。直接带隙半导体的光发射效率较高，发射光谱较窄，适合用于发光二极管（LED）和激光器。间接带隙半导体的光发射效率较低，发射光谱较宽，通常不用于光发射器件。

15.3.4能带结构的调控

通过掺杂、应变、量子限制等手段，可以调控半导体的能带结构，从而改变其光吸收与发射特性。例如，量子点和量子阱结构可以实现带隙的调制，提高光发射效率。

15.4半导体的光吸收与发射在光电子器件中的应用

15.4.1太阳能电池

太阳能电池利用半导体的光吸收特性，将光能转换为电能。常见的太阳能电池材料有单晶硅、多晶硅、GaAs等。光吸收过程产生的电子-空穴对在内建电场的作用下分离，形成电流。这种电流可以被外部电路利用，从而实现太阳能的发电。

15.4.2发光二极管（LED）

LED利用半导体的光发射特性，将电能转换为光能。通过选择合适的半导体材料和能带结构，可以实现不同波长的光发射。常见的LED材料有GaA