半导体物理基础：半导体器件工作原理_（6）.半导体三极管：双极型晶体管原理.docxVIP

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半导体三极管：双极型晶体管原理

1.双极型晶体管的基本结构

双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor,BJT）是一种具有两个PN结的三端半导体器件。它由三层半导体材料组成，常见的结构包括NPN型和PNP型。NPN型晶体管的三层材料分别为发射区（Emitter,E）、基区（Base,B）和集电区（Collector,C），而PNP型晶体管的三层材料则相反。

1.1NPN型晶体管结构

NPN型晶体管的结构如图1所示：

图1:NPN型晶体管结构

发射区（Emitter,E）：高掺杂N型半导体，提供大量自由电子。

基区（Base,B）：低掺杂P型半导体，控制自由电子的流动。

集电区（Collector,C）：低掺杂N型半导体，收集自由电子。

1.2PNP型晶体管结构

PNP型晶体管的结构如图2所示：

图2:PNP型晶体管结构

发射区（Emitter,E）：高掺杂P型半导体，提供大量空穴。

基区（Base,B）：低掺杂N型半导体，控制空穴的流动。

集电区（Collector,C）：低掺杂P型半导体，收集空穴。

2.双极型晶体管的工作原理

双极型晶体管的工作原理基于两个PN结的特性。当晶体管处于放大状态时，基区的少量载流子可以控制发射区和集电区之间的大量载流子流动，从而实现电流放大。

2.1NPN型晶体管的工作原理

NPN型晶体管的工作原理如下：

基极-发射极PN结（B-E结）：当基极相对于发射极施加正向偏压时，B-E结导通，发射区的大量自由电子被注入到基区。

基极-集电极PN结（B-C结）：当集电极相对于基极施加反向偏压时，B-C结处于反向偏置状态，基区的自由电子大部分被集电区收集，形成集电极电流IC

基极电流IB：由于基区是低掺杂区，注入基区的自由电子只有少量被复合，形成基极电流I

发射极电流IE：发射极电流IE由集电极电流IC和基极电流IB

2.2PNP型晶体管的工作原理

PNP型晶体管的工作原理如下：

基极-发射极PN结（B-E结）：当基极相对于发射极施加反向偏压时，B-E结导通，发射区的大量空穴被注入到基区。

基极-集电极PN结（B-C结）：当集电极相对于基极施加正向偏压时，B-C结处于正向偏置状态，基区的空穴大部分被集电区收集，形成集电极电流IC

基极电流IB：由于基区是低掺杂区，注入基区的空穴只有少量被复合，形成基极电流I

发射极电流IE：发射极电流IE由集电极电流IC和基极电流IB

3.双极型晶体管的电流关系

双极型晶体管的电流关系可以用以下公式表示：

3.1NPN型晶体管的电流关系

发射极电流IE

I

集电极电流IC

I

其中，α是发射极效率，β是电流放大倍数。

3.2PNP型晶体管的电流关系

发射极电流IE

I

集电极电流IC

I

其中，α是发射极效率，β是电流放大倍数。

4.双极型晶体管的三种工作状态

双极型晶体管可以根据基极、发射极和集电极之间的偏置状态分为三种工作状态：放大状态、饱和状态和截止状态。

4.1放大状态

NPN型晶体管：

基极-发射极PN结正向偏置：V

基极-集电极PN结反向偏置：V

PNP型晶体管：

基极-发射极PN结反向偏置：V

基极-集电极PN结正向偏置：V

在放大状态下，基极电流IB很小，但可以控制较大的集电极电流I

4.2饱和状态

NPN型晶体管：

基极-发射极PN结正向偏置：V

基极-集电极PN结正向偏置：V

PNP型晶体管：

基极-发射极PN结反向偏置：V

基极-集电极PN结反向偏置：V

在饱和状态下，基极电流IB较大，集电极电流IC接近最大值，晶体管的电压降

4.3截止状态

NPN型晶体管：

基极-发射极PN结反向偏置：V

基极-集电极PN结反向偏置：V

PNP型晶体管：

基极-发射极PN结正向偏置：V

基极-集电极PN结正向偏置：V

在截止状态下，基极电流IB为零，集电极电流I

5.双极型晶体管的放大特性

双极型晶体管的放大特性主要体现在其电流放大倍数β上。在放大状态下，β的值通常在几十到几百之间。

5.1电流放大倍数β

β是集电极电流IC与基极电流I

β

5.2电流放大倍数α

α是集电极电流IC与发射极电流I

α

α和β之间的关系为：

α

β

6.双极型晶体管的输入输出特性

双极型晶体管的输入输出特性可以通过特性曲线来描述，主要包括输入特性曲线和输出特性曲线。

6.1输入特性曲线

输入特性曲线描述了基极电流IB与基极-发射极电压V

图3:NPN型晶体管的输入特性曲线

6.2输出特性曲线

输出特性曲线描述了集电极电流IC与集电极-发射极电压VCE之间的关系，同时考虑基极电流

图4: