半导体物理基础：半导体器件模型_（3）.载流子统计与输运理论：载流子浓度、迁移率与扩散.docxVIP

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载流子统计与输运理论：载流子浓度、迁移率与扩散

载流子浓度

1.基本概念

在半导体中，载流子主要包括电子和空穴。载流子的浓度是指单位体积内自由电子和空穴的数量。在本征半导体中，电子和空穴的浓度相等，而在掺杂半导体中，载流子浓度会受到掺杂原子的影响。

2.载流子浓度的计算

2.1本征载流子浓度

本征载流子浓度ni

n

其中：-Nc是导带有效态密度-Nv是价带有效态密度-Eg是带隙能量-k是玻尔兹曼常数-

2.2掺杂半导体中的载流子浓度

在掺杂半导体中，载流子浓度会受到掺杂浓度的影响。对于n型半导体，主要载流子是电子，其浓度n可以通过以下公式计算：

n

其中：-ND

对于p型半导体，主要载流子是空穴，其浓度p可以通过以下公式计算：

p

其中：-NA

3.载流子浓度的温度依赖性

载流子浓度ni

n

其中：-T0是参考温度-Eg

4.载流子浓度的数值计算

4.1Python代码示例

以下是一个Python代码示例，用于计算不同温度下的本征载流子浓度：

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义常数

k=8.617e-5#玻尔兹曼常数，单位：eV/K

E_g=1.12#带隙能量，单位：eV

T_0=300#参考温度，单位：K

#计算参考温度下的本征载流子浓度

N_c=2.8e19#导带有效态密度，单位：cm^-3

N_v=1.0e19#价带有效态密度，单位：cm^-3

n_i_T0=np.sqrt(N_c*N_v)*np.exp(-E_g/(2*k*T_0))

#定义温度范围

T=np.linspace(300,500,100)

#计算不同温度下的本征载流子浓度

n_i=n_i_T0*(T/T_0)**(3/2)*np.exp(-E_g/(2*k*T))

#绘制载流子浓度随温度变化的曲线

plt.figure(figsize=(10,6))

plt.plot(T,n_i,label=本征载流子浓度,color=blue)

plt.xlabel(温度(K))

plt.ylabel(载流子浓度(cm^-3))

plt.title(本征载流子浓度随温度变化)

plt.legend()

plt.grid(True)

plt.show()

5.载流子浓度在半导体器件中的应用

载流子浓度在半导体器件设计中非常重要。例如，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的工作原理就依赖于载流子浓度的变化。在MOSFET中，通过改变栅极电压来控制沟道中的载流子浓度，从而实现电流的控制。

迁移率

1.基本概念

迁移率μ是描述载流子在电场作用下运动速度的物理量。它表示单位电场下载流子的平均漂移速度。迁移率的单位通常是cm2

2.迁移率的计算

2.1电子迁移率

电子迁移率μn

μ

其中：-σ是电导率-n是电子浓度-q是电子电荷

2.2空穴迁移率

空穴迁移率μp

μ

其中：-σ是电导率-p是空穴浓度-q是空穴电荷

3.迁移率的温度依赖性

迁移率μ随温度的变化关系可以通过以下公式描述：

μ

其中：-Eimp是杂质散射能量-T0是参考温度-T

4.迁移率的数值计算

4.1Python代码示例

以下是一个Python代码示例，用于计算不同温度下的迁移率：

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义常数

k=8.617e-5#玻尔兹曼常数，单位：eV/K

E_imp=0.05#杂质散射能量，单位：eV

T_0=300#参考温度，单位：K

mu_T0=1350#参考温度下的迁移率，单位：cm^2/Vs

#定义温度范围

T=np.linspace(300,500,100)

#计算不同温度下的迁移率

mu=mu_T0*(T_0/T)**(3/2)*np.exp(-E_imp/(k*T))

#绘制迁移率随温度变化的曲线

plt.figure(figsize=(10,6))

plt.plot(T,mu,label=迁移率,color=red)

plt.xlabel(温度(K))

plt.ylabel(迁移率(cm^2/Vs))

plt.title(迁移率随温度变化)

plt.legend()

plt.grid