半导体物理基础：半导体材料特性_10.半导体材料的制备与表征技术.docxVIP

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10.半导体材料的制备与表征技术

10.1半导体材料的制备方法

10.1.1区域熔炼法

区域熔炼法（ZoneMelting）是一种常用的半导体材料制备方法，主要用于提纯和制备单晶半导体材料。该方法的基本原理是通过将材料的一部分熔化并缓慢移动熔区，使得杂质在熔区中富集，从而达到提纯的目的。

原理

熔区形成：首先将半导体材料加热到其熔点以上，形成一个熔区。

熔区移动：然后使熔区沿着材料缓慢移动，通常通过控制加热源的移动速度来实现。

杂质富集：在熔区移动的过程中，杂质会逐渐富集在熔区的前端，而熔区的后端则留下较为纯净的材料。

详细过程

初始加热：将半导体材料的一端加热至熔点以上，形成一个熔区。

加热源移动：加热源沿着材料缓慢移动，使熔区不断向前推进。

冷却固化：熔区后端的材料逐渐冷却并固化，形成较为纯净的单晶材料。

重复操作：为了进一步提高纯度，可以多次进行区域熔炼操作。

优点

高纯度：通过多次区域熔炼，可以显著提高材料的纯度。

单晶生长：适用于制备单晶半导体材料。

成本较低：相比其他复杂制备方法，区域熔炼法成本较低。

缺点

速度较慢：熔区移动速度较慢，制备时间较长。

温度控制要求高：需要精确控制加热源的移动速度和温度分布。

10.1.2气相沉积法

气相沉积法（VaporPhaseDeposition）是一种在气体环境中通过化学反应或物理过程将气态前驱物沉积在基底上的方法。常用的气相沉积法包括化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition,CVD）和物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition,PVD）。

化学气相沉积（CVD）

反应气体：将反应气体引入反应室，气体在高温下发生化学反应生成固态沉积物。

基底加热：基底通常需要加热到一定温度，以促进反应气体在基底表面的化学反应。

沉积过程：生成的固态沉积物在基底表面逐渐沉积，形成薄膜。

物理气相沉积（PVD）

蒸发源：将固体材料加热至蒸发，形成气态原子或分子。

基底加热：基底通常需要加热到一定温度，以促进气态原子或分子在基底表面的沉积。

沉积过程：气态原子或分子在基底表面逐渐沉积，形成薄膜。

优点

薄膜质量高：可以制备高质量的薄膜材料。

可控性强：通过控制反应条件，可以精确控制薄膜的厚度和成分。

适用范围广：适用于多种半导体材料的制备。

缺点

设备复杂：需要复杂的设备和工艺控制。

成本较高：特别是对于高纯度材料的制备，成本较高。

10.1.3液相外延法

液相外延法（LiquidPhaseEpitaxy,LPE）是一种在液态前驱物中生长单晶薄膜的方法。该方法适用于制备III-V族化合物半导体材料，如GaAs。

原理

熔融前驱物：将前驱物（如Ga和As）在高温下熔融，形成液态溶液。

基底浸入：将基底浸入液态溶液中，前驱物在基底表面外延生长。

生长过程：通过控制溶液的温度和成分，使薄膜在基底表面均匀生长。

详细过程

熔融前驱物：将Ga和As在高温下熔融，形成液态GaAs溶液。

基底准备：将基底（如GaAs单晶片）清洗干净，去除表面杂质。

基底浸入：将基底缓慢浸入液态GaAs溶液中。

温度控制：通过控制溶液的温度，使GaAs在基底表面均匀外延生长。

生长过程：保持一定时间，使薄膜达到所需的厚度。

冷却取出：缓慢冷却后，将基底取出，形成单晶GaAs薄膜。

优点

生长速度快：相比其他方法，LPE的生长速度较快。

适用范围广：适用于多种化合物半导体材料的制备。

缺点

温度控制要求高：需要精确控制溶液的温度和成分。

设备复杂：需要复杂的加热和冷却系统。

10.1.4分子束外延法

分子束外延法（MolecularBeamEpitaxy,MBE）是一种高精度的薄膜生长方法，适用于制备高质量的单晶半导体薄膜。该方法通过在超高真空环境中使用分子束源，将前驱物原子或分子沉积在基底上。

原理

超高真空环境：在超高真空环境中，确保基底表面的清洁度。

分子束源：使用分子束源将前驱物（如Ga和As）蒸发成原子或分子束。

基底加热：基底通常需要加热到一定温度，以促进前驱物在基底表面的沉积。

沉积过程：前驱物原子或分子在基底表面逐渐沉积，形成单晶薄膜。

详细过程

超高真空环境：将反应室抽至10^-10Torr的真空度。

分子束源准备：将Ga和As分别放入蒸发源中，通过电子束加热使其蒸发。

基底加热：将基底（如GaAs单晶片）加热到600-700°C。

分子束沉积：调节分子束的流量和基底的温度，使Ga和As原子在基底表面均匀沉积。

生长过程：通过监控生长速率和厚度，使薄膜达到所需的厚度。

冷却取出：缓慢冷却后，将基底取出，形成单晶GaAs薄膜。

优点

高精度：可以精确控制薄膜的厚度和成分。

高质量：生长的薄膜具有