半导体物理基础：半导体材料特性_15.半导体的能级结构与能态密度.docxVIP

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15.半导体的能级结构与能态密度

15.1能级结构

15.1.1能带理论

能带理论是固体物理学中的一个重要概念，用于描述固体材料中的电子能级结构。在能带理论中，固体材料的电子能级不是孤立的，而是形成一系列连续的能带。这些能带之间的间隔称为能隙（bandgap），能隙的大小决定了材料的电学性质。

能带的形成：在固体材料中，由于原子之间的相互作用，单个原子的能级会分裂成许多接近的能级，形成能带。能带分为导带（conductionband）和价带（valenceband）。价带是由材料中价电子占据的能带，而导带是价电子可以跃迁到的能带。

能隙的类型：能隙可以分为直接能隙（directbandgap）和间接能隙（indirectbandgap）。直接能隙材料中，导带的最低能级和价带的最高能级在相同的波矢处；间接能隙材料中，这两个能级在不同的波矢处。直接能隙材料（如GaAs）通常具有较高的光电转换效率，适用于光电器件；而间接能隙材料（如Si）则适用于电子器件。

15.1.2能级结构的计算

能级结构的计算通常基于量子力学中的薛定谔方程。对于周期性排列的固体材料，可以使用布洛赫定理（Bloch’stheorem）来简化计算。

布洛赫定理：布洛赫定理指出，在周期性势场中，电子的波函数可以表示为：

ψ

其中，k是波矢，unkr是一个周期为晶格常数的函数，

能带计算方法：

紧束缚近似（Tight-BindingApproximation）：紧束缚近似是一种常用的计算能带的方法，适用于描述电子在原子轨道之间的跃迁。基本步骤如下：

选择合适的基函数（通常是原子轨道）。

计算哈密顿矩阵元素。

求解哈密顿矩阵的本征值问题，得到能带。

平面波展开（PlaneWaveExpansion）：平面波展开适用于周期性势场中的电子态。基本步骤如下：

选择合适的平面波基函数。

计算势场的傅里叶展开。

求解薛定谔方程，得到能带。

15.1.3能级结构的可视化

能级结构的可视化可以帮助我们更好地理解材料的电学性质。常用的可视化工具包括能带图和能态密度图。

能带图：能带图展示了电子能级随波矢k的变化。通常在高对称点和对称线上绘制能带图，例如在立方晶系中，可以绘制从Γ点到X点、M点的路径。

能态密度图：能态密度图（DensityofStates,DOS）展示了每个能级上的态数。能态密度可以分为总能态密度和分态能态密度（PartialDensityofStates,PDOS）。

15.1.4代码示例：计算和绘制能带图

以下是一个使用Python和pymatgen库计算Si材料能带结构并绘制能带图的示例代码。

#导入必要的库

frompymatgen.io.vaspimportVasprun

frompymatgen.electronic_structure.plotterimportBSPlotter

importmatplotlib.pyplotasplt

#读取VASP计算结果

vasprun=Vasprun(vasprun.xml)

bandstructure=vasprun.get_band_structure()

#创建能带图绘制器

bs_plotter=BSPlotter(bandstructure)

#绘制能带图

plt.figure(figsize=(8,6))

bs_plotter.get_plot().show()

#保存能带图

bs_plotter.get_plot().savefig(bandstructure.png)

15.1.5代码示例：计算和绘制能态密度图

以下是一个使用Python和pymatgen库计算Si材料能态密度并绘制DOS图的示例代码。

#导入必要的库

frompymatgen.io.vaspimportVasprun,Outcar

frompymatgen.electronic_structure.plotterimportDosPlotter

frompymatgen.electronic_structure.dosimportCompleteDos

importmatplotlib.pyplotasplt

#读取VASP计算结果

vasprun=Vasprun(vasprun.xml)

outcar=Outcar(OUTCAR)

complete_dos=vasprun.get_complete_dos()

#创建能态密度绘制器

dos_plotter=DosPlotter()

#添加总能态密度

do