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锗基pMOSFET迁移率中栅电荷库伦散射的深入剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其性能的提升对于推动整个信息产业的进步至关重要。在追求更高性能、更低功耗集成电路的进程中，锗基pMOSFET（锗基p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借独特优势，成为研究热点。

锗材料具有优异的电学特性，其电子和空穴迁移率显著高于传统的硅材料。在pMOSFET中，较高的空穴迁移率能够使器件在相同工作条件下具有更快的开关速度和更低的功耗，这对于满足日益增长的高性能、低功耗集成电路需求具有重要意义。例如，在移动设备处理器中，采用锗基pMOSFET可使芯片在处理复杂任务时更高效，同时减少电池耗电量，延长设备续航时间；在高速通信芯片里，能提高信号处理速度，实现更快速的数据传输。因此，锗基pMOSFET在超高速、低功耗集成电路领域展现出巨大应用潜力，被视为实现下一代高性能芯片的关键技术之一。

然而，在实际应用中，锗基pMOSFET的性能受到多种因素制约，其中栅电荷库伦散射对迁移率的影响尤为显著。库伦散射是指载流子与带电粒子之间通过库伦力相互作用，导致载流子运动方向和速度发生改变的现象。在锗基pMOSFET中，栅极与沟道之间存在电荷，这些电荷会产生库伦场，对沟道中的载流子产生散射作用，从而降低载流子迁移率。迁移率的降低会直接导致器件的驱动电流减小，进而影响集成电路的运行速度和处理能力。深入研究栅电荷库伦散射对迁移率的影响，具有重要的理论和实践意义。

从理论层面来看，全面了解栅电荷库伦散射机制，有助于完善锗基半导体器件物理理论。通过对散射过程中载流子与栅电荷相互作用的微观机理进行深入剖析，能够建立更加精确的器件物理模型，为器件的设计和优化提供坚实的理论基础。这不仅有助于深化对锗基材料特性的认识，还能拓展半导体物理领域的研究边界，为探索新型半导体器件和材料提供新思路。

在实践方面，研究成果可直接应用于指导锗基pMOSFET的设计与制造工艺优化。通过针对性地采取措施减少栅电荷库伦散射，提高迁移率，可以显著提升器件性能，推动锗基集成电路的产业化进程。例如，通过优化栅极结构、材料选择以及工艺参数，降低栅电荷密度或改变电荷分布，从而有效抑制库伦散射，提高器件的迁移率和驱动电流，使集成电路在更小的尺寸下实现更高的性能，满足市场对高性能、小尺寸芯片的需求，增强相关电子产品在国际市场的竞争力，促进电子信息产业的可持续发展。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队围绕锗基pMOSFET迁移率和栅电荷库伦散射开展了广泛研究，并取得一系列成果。

在锗基pMOSFET迁移率研究上，中国科学院微电子研究所在锗基MOS器件研究中取得显著进展。研究团队通过对Ge表面进行化学钝化处理，再进行ALD-Al?O?的沉积，获得了具有较低缺陷密度的界面。基于此方法，在Ge(100)、Ge(110)和Ge(111)衬底上制造的Ge-pMOSFET，空穴迁移率得到大幅度提升。特别是在Ge(111)衬底上，通过化学钝化，成功使得峰值迁移率达到660cm2V?1s?1，该迁移率为体硅迁移率的3.5倍，达到世界先进水平。赵毅教授课题组利用臭氧穿透高介电常数HfO?/AlOx栅氧层生成极薄氧化锗进行界面钝化的方法，在保持超薄厚度的情况下，获得了具有优异电学性能的HfO?/AlOx/GeOx锗基栅极。同时利用微量Ge掺杂的方法，诱导HfO?薄膜晶化，减小栅极的整体等效厚度，获得了国际上栅极厚度最薄的高性能GepMOSFET器件，栅氧等效氧化层厚度（EOT）仅为0.6nm，并实现了国际上最高的空穴迁移率，达到文献报道值的4.1倍。国外方面，一些研究团队致力于探索不同衬底晶向和界面处理工艺对迁移率的影响，通过实验和理论计算，揭示了衬底晶向与迁移率之间的内在联系，为优化器件性能提供了方向。

关于栅电荷库伦散射的研究，中国科学院微电子研究所王文武研究员课题组针对臭氧氧化的Ge/GeOx/Al?O?栅结构GepMOSFET，严格区分且量化表征出了栅结构中的体电荷、固定界面电荷和界面偶极子，发现偶极子电荷的密度远大于体电荷和界面固定电荷。继而通过能带对准理论探究了界面偶极子的调控物理机制，明确了GepMOSFET由于界面层厚度造成的空穴迁移率退化散射起源，其实是栅结构中偶极子的远程库伦散射。部分国外研究人员利用先进的表征技术，对栅电荷的分布和性质进行深入研究，建立了相关的散射模型，为理解库伦散射机制提供了重要参考。

尽管取得上述成果，但当前研究仍存在不足和空白。在迁移率研究方面，虽然在一些特定条件下实现了迁移率的提